ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี JANS1N6642
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - JANS1N6642 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - JANS1N6642
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/578 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6642 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology JANS1N6642
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | JANS1N6642 | JANS1N6642UBD | JANS1N5822US | JANS1N5819UR-1 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/578 | - | Military, MIL-PRF-19500/620 | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300mA | - | 3A | 1A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 75 V | - | - | 50 µA @ 45 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz | - | 70pF @ 5V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | 500 mV @ 3 A | 490 mV @ 1 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | 4-SMD, No Lead | SQ-MELF, B | DO-213AB, MELF (Glass) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | - | 40 V | 45 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 5 ns | 5 ns | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N6642 | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JANS1N6642 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ JANS1N6642 - Microchip Technology
JANS1N6642UBDMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP UBJANS1N5822USMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELFJANS2N2222AUBMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A UBJANS1N5819UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
JANS1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
JANS1N6117AMicrochip TechnologyTVS DIODE 22.8VWM 41.6VC B AXIALJANS1N7039CCT1IR
JANS2N2222AMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A TO18JANS1N6843CCU3IRJANS1N7041CCU1IRJANS1N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALJANS1N5711UBMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 50V UBJANS1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFJANS1N6642UBCCMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP UBJANS2N2369AUBMicrochip TechnologyTRANS NPN 20V UBJANS1N5615USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF
JANS1N5819-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41JANS1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที