ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี R4250
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - R4250 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - R4250
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 500 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 125A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology R4250
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | R4250 | R42140 | BAS321,115 | R4240 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Nexperia USA Inc. | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | SC-76, SOD-323 | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | SOD-323 | DO-205AA (DO-8) |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 500 V | 50 µA @ 1400 V | 100 nA @ 200 V | 50 µA @ 400 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | 1400 V | 200 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 125A | 125A | 250mA | 125A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | 150°C (Max) | -65°C ~ 200°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล R4250 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ R4250 - Microchip Technology
R429.200Hamlin / LittelfuseR42140Microchip TechnologyDIODE GP REV 1.4KV 125A DO205AAR429001.WRMLITEBAS321,115Nexperia USA Inc.DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323R4240Microchip TechnologyDIODE GP REV 400V 125A DO205AA
11DQ03SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO41
HER308GHY Electronic (Cayman) LimitedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO27R429003Hamlin / LittelfuseR4230Microchip TechnologyDIODE GP REV 300V 125A DO205AAR429.250 0.25A/125vHamlin / Littelfuse
SK215ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214ACR42-25-FMSU-1SHERWOODR42120Microchip TechnologyDIODE GP REV 1.2KV 125A DO205AAR4220Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA
SS3H10HE3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
SS26HE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA
R42180-01Seoul Semiconductor Inc.LED Z-POWER RED 625NM SMDR429001.WRM/1206-1ALITE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที