ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี R4230
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - R4230 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - R4230
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 125A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology R4230
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | R4230 | R4240 | R4250 | VS-E5PH6006L-N3 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | 50 µA @ 400 V | 50 µA @ 500 V | 25 µA @ 600 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.7 V @ 60 A |
| ชุด | - | - | - | FRED Pt® |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 125A | 125A | 125A | 60A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 400 V | 500 V | 600 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | TO-247-2 |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | TO-247AD |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล R4230 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ R4230 - Microchip Technology
R42-25-FMSU-1SHERWOODR4240Microchip TechnologyDIODE GP REV 400V 125A DO205AAR429001.WRM/1206-1ALITER4250Microchip TechnologyDIODE GP REV 500V 125A DO205AA
R429.250 0.25A/125vHamlin / LittelfuseVS-E5PH6006L-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD
BAT42WTaiwan Semiconductor CorporationSOD-123, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIO
RHRG75120onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247-2
1N3670ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO4
R42180-01Seoul Semiconductor Inc.LED Z-POWER RED 625NM SMDS504140TSMicrochip TechnologyDIODE GP 1.4KV 300A DO205AB DO9R429.200Hamlin / Littelfuse1N1581Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 16A DO4R42120Microchip TechnologyDIODE GP REV 1.2KV 125A DO205AA
MBR1045Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220-2R4220Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA
BAS70-GComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3R42140Microchip TechnologyDIODE GP REV 1.4KV 125A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที