ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EDF8132A3PB-GD-F-D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - EDF8132A3PB-GD-F-D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - EDF8132A3PB-GD-F-D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 216-WFBGA (12x12) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 32 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EDF8132 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-GD-F-D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EDF8132A3PB-GD-F-D | EDF8132A3MA-GD-F-D | EDF8132A3PF-GD-F-D | EDF8132A3MA-JD-F-D |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | 8Gbit | 8Gbit | 8Gbit |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EDF8132 | EDF8132 | EDF8132 | EDF8132 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | - |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | 800 MHz | 800 MHz | 933 MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 216-WFBGA (12x12) | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 32 | 256M x 32 | 256M x 32 | 256M x 32 |
| ชุด | - | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EDF8132A3PB-GD-F-D PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ EDF8132A3PB-GD-F-D - Micron Technology Inc.
EDF8132A3MA-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ
EDF1DS-E3/77Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFSEDF8132A3MA-GD-FELPIDAEDF8132A3PB-GD-F-RMicron TechnologyEDF8132A3PF-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZEDF8164A1PBGD-FELPIDA
EDF1DSElectro-Films (EFI) / VishayEDF8164A3MA-GD-F-RMicron TechnologyEDF8164A1MA-GD-FELPIDAEDF8132A3MA-JD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 933MHZEDF8132A1MC-GD-FELPIDAEDF8132A3MA-GD-F-RMicron TechnologyEDF8164A1MA-GD-F-RMicron TechnologyEDF8164A3PF-GD-FELPIDAEDF8132A3PD-GD-FELPIDAEDF8132A3MA-JD-FELPIDAEDF8164A3MA-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 253FBGAEDF8132A3PB-GD-FMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที