ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EDF8164A3MA-GD-F-D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - EDF8164A3MA-GD-F-D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - EDF8164A3MA-GD-F-D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 253-FBGA (11x11) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | - | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 64 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EDF8164 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-GD-F-D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EDF8164A3MA-GD-F-D | EDFA112A2PD-GD-F-D | EDF8132A3PB-GD-F-D | EDF8132A3MA-JD-F-D |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | 800 MHz | 800 MHz | 933 MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V | 1.14V ~ 1.95V |
| ประเภทการติดตั้ง | - | - | Surface Mount | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 64 | 128M x 128 | 256M x 32 | 256M x 32 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 253-FBGA (11x11) | - | 216-WFBGA (12x12) | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | 16Gbit | 8Gbit | 8Gbit |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EDF8164 | EDFA112 | EDF8132 | EDF8132 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EDF8164A3MA-GD-F-D PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ EDF8164A3MA-GD-F-D - Micron Technology Inc.
EDF8164A1MA-GD-F-RMicron TechnologyEDF8132A3PB-GD-F-RMicron TechnologyEDF8164A1PBGD-FELPIDAEDFA112A2PF-GD-F-RMicron TechnologyEDF8132A3PD-GD-FELPIDAEDF8164A3MA-GD-F-RMicron TechnologyEDFA112A2PD-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT PARALLEL 800MHZEDF8164A3PF-GD-FELPIDAEDF8132A3PB-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216WFBGAEDF8132A3MA-JD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 933MHZEDF8132A3PF-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZEDFA164A1MA-GD-FN/AEDFA112A2PF-GD-FMicron TechnologyEDF8164A3PM-GD-FMicron TechnologyEDF8132A3PB-GD-FMicron TechnologyEDF8164A3PF-JD-F-RMicron TechnologyEDF8164A3PF-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZEDF8164A1MA-GD-FELPIDA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที