ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NAND02GW3B2DZA6E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - NAND02GW3B2DZA6E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - NAND02GW3B2DZA6E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 25ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 63-VFBGA (9.5x12) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 63-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NAND02G | |
| เวลาในการเข้าถึง | 25 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DZA6E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NAND02GW3B2DZA6E | NAND04GW3C2BN6E | NAND02GR3B2DZA6E | NAND02GW3B2DN6E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| เวลาในการเข้าถึง | 25 ns | 25 ns | 45 ns | 25 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 63-TFBGA | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 63-TFBGA | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NAND02G | NAND04G | NAND02G | NAND02G |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 63-VFBGA (9.5x12) | 48-TSOP | 63-VFBGA (9.5x12) | 48-TSOP |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | 4Gbit | 2Gbit | 2Gbit |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 1.7V ~ 1.95V | 2.7V ~ 3.6V |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 8 | 512M x 8 | 256M x 8 | 256M x 8 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 25ns | 25ns | 45ns | 25ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NAND02GW3B2DZA6E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ NAND02GW3B2DZA6E - Micron Technology Inc.
NAND02GW3B2CN6STMicroelectronicsNAND02GW3B2DNBSTMicroelectronicsNAND04GW3C2BN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOPNAND04GW3B2DN6FSTMicroelectronicsNAND04GW3B2DN6STMicroelectronicsNAND02GR3B2DZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGANAND04GW3B2BN6STMicroelectronicsNAND02GW382DN6STMicroelectronicsNAND08GAH0NZA5STMicroelectronicsNAND02GW3B2DZA6STMicroelectronicsNAND02GR3B2DZA6STMicroelectronicsNAND02GW382DZA6NANYANAND02GW3B2DZA6FNUMONYX MEMNAND02GW3B2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOPNAND02GR3B2DZA6FNUMONYXNAND04GW3B2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND08GAH0BZA5EMicron Technology Inc.IC FLSH 8GBIT MMC 52MHZ 169LFBGANAND02GW3B2DN6STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที