ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NAND08GAH0BZA5E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - NAND08GAH0BZA5E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - NAND08GAH0BZA5E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 169-LFBGA (12x16) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 169-LFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | MMC | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| ความถี่นาฬิกา | 52 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NAND08G |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. NAND08GAH0BZA5E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NAND08GAH0BZA5E | NAND08GW3F2AN6E | NAND04GW3C2BN6E | NAND02GW3B2DN6E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| ชุด | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | 25ns | 25ns | 25ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 169-LFBGA | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | MMC | Parallel | Parallel | Parallel |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | 8Gbit | 4Gbit | 2Gbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 169-LFBGA (12x16) | 48-TSOP | 48-TSOP | 48-TSOP |
| ความถี่นาฬิกา | 52 MHz | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | 1G x 8 | 512M x 8 | 256M x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NAND08G | NAND08G | NAND04G | NAND02G |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NAND08GAH0BZA5E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ NAND08GAH0BZA5E - Micron Technology Inc.
NAND08GW3B2CN6ESTMicroelectronicsNAND02GW3B2DZA6STMicroelectronicsNAND08GW3F2AN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOPNAND08GW3B2AN6STMicroelectronicsNAND08GW3B2CN6STMicroelectronicsNAND04GW3C2BN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOPNAND02GW3B2DNBSTMicroelectronicsNAND02GW3B2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOPNAND04GW3B2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
NAND02GW3B2DZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGANAND04GW3B2DN6STMicroelectronicsNAND04GW3B2BN6STMicroelectronicsNAND08GW3B2CN6MSTMicroelectronicsNAND08GW3F2AN6STMicroelectronics
NAND02GW3B2DZA6FNUMONYX MEMNAND08GW3C2BN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOPNAND04GW3B2DN6FSTMicroelectronicsNAND08GAH0NZA5STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที