ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT5025BN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT5025BN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT5025BN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ชุด | POWER MOS IV® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 11.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 310W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2950 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT5025BN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT5025BN | APT50DF170HJ | APT502J | APT5022BN |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi | APT |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | SOT-227 (ISOTOP®) | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2950 pF @ 25 V | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 11.5A, 10V | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | - | - | - |
| ชุด | POWER MOS IV® | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 310W (Tc) | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | Standard | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT5025BN PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT5025BN - Microsemi Corporation
APT50DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227APT502JMicrosemiIGBT ModuleAPT5022BNAPTAPT50GF100BNAPTIGBT ModuleAPT5025BVRAPTAPT5025BNRAPTIGBT ModuleAPT5028BVRAPTIGBT ModuleAPT50GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOPAPT5022JNMicrosemiIGBT ModuleAPT5020HJNAPTIGBT ModuleAPT5030AVRAPTAPT5025ANAPTAPT50GF120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOPAPT5023BNAPTAPT5024BVFRAPTIGBT ModuleAPT5024SVRAPTAPT5022BNRAPTIGBT ModuleAPT5024BFLLAPT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที