ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT25A120D1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGT25A120D1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGT25A120D1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 25A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 140 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 1.8 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | |
| องค์ประกอบ | Half Bridge |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGT25A120D1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT25A120D1G | APTGT300A170D3G | APTGT300SK170D3G | APTGT300SK120D3G |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 5 mA | 8 mA | 8 mA | 8 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | 530 A | 530 A | 440 A |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| องค์ประกอบ | Half Bridge | Half Bridge | Single | Single |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | D-3 Module | D-3 Module | D-3 Module |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1700 V | 1700 V | 1200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | D3 | D3 | D3 |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 25A | 2.4V @ 15V, 300A | 2.4V @ 15V, 300A | 2.1V @ 15V, 300A |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 1.8 nF @ 25 V | 26 nF @ 25 V | 26 nF @ 25 V | 20 nF @ 25 V |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 140 W | 1470 W | 1470 W | 1250 W |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT25A120D1G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGT25A120D1G - Microsemi Corporation
APTGT200U170D4GAPTIGBT ModuleAPTGT300A170D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3APTGT300SK170D3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3APTGT300SK120D3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 440A 1250W D3APTGT300A60WGAPTIGBT ModuleAPTGT200U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT300DA170D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3APTGT200DA120D3APTIGBT ModuleAPTGT200U170D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT25SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 40A 140W D1APTGT200SK120D3APTIGBT ModuleAPTGT200SK170D3APTIGBT ModuleAPTGT200DU60TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 290A 625W SP4APTGT200U120D4GAPTIGBT ModuleAPTGT300A170GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6APTGT300DA60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6APTGT300DA120D3GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 440A 1250W D3APTGT200TL60GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 300A 652W SP6| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที