ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT200TL60G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - APTGT200TL60G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - APTGT200TL60G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.9V @ 15V, 200A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 652 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 12.2 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 350 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 300 A | |
| องค์ประกอบ | Three Level Inverter | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APTGT200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology APTGT200TL60G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT200TL60G | APTGT300A170G | APTGT200A170D3G | APTGT200A120G |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.9V @ 15V, 200A | 2.4V @ 15V, 300A | 2.4V @ 15V, 200A | 2.1V @ 15V, 200A |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 12.2 nF @ 25 V | 26.5 nF @ 25 V | 17 nF @ 25 V | 14 nF @ 25 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1700 V | 1700 V | 1200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| องค์ประกอบ | Three Level Inverter | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 652 W | 1660 W | 1250 W | 890 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SP6 | SP6 | D-3 Module | SP6 |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 300 A | 400 A | 400 A | 280 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APTGT200 | APTGT300 | APTGT200 | APTGT200 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 350 µA | 750 µA | 5 mA | 350 µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SP6 | SP6 | D3 | SP6 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT200TL60G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ APTGT200TL60G - Microchip Technology
APTGT300A60WGAPTIGBT ModuleAPTGT200U170D4GAPTIGBT ModuleAPTGT300A170GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
APTGT200U120D4MicrosemiIGBT ModuleAPTGT200A170D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 400A 1250W D3APTGT200A120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6APTGT25SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 40A 140W D1APTGT200U120D4GAPTIGBT ModuleAPTGT200DU60TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 290A 625W SP4APTGT200SK120D3APTIGBT ModuleAPTGT25A120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 40A 140W D1APTGT200DA120D3APTIGBT ModuleAPTGT150X120TE3GAPTIGBT ModuleAPTGT150X120E3GIGBT ModuleAPTGT300A170D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3APTGT200SK170D3APTIGBT ModuleAPTGT200A120D3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 300A 1040W D3APTGT200U170D4MicrosemiIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที