ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี US1M_R1_00001
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Panjit International Inc. - US1M_R1_00001 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Panjit International Inc. - US1M_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | PANJIT | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1M |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Panjit International Inc. US1M_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | US1M_R1_00001 | US1MHE3_A/H | US1MHE3_A/I | US1MFA |
| ผู้ผลิต | Panjit International Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns | 75 ns | 75 ns | 75 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | SOD-123W |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1M | US1 | US1M | US1M |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | SOD-123FA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล US1M_R1_00001 PDF และเอกสาร Panjit International Inc. สำหรับ US1M_R1_00001 - Panjit International Inc.
US1MWG_R1_00001PANJITUS1M_R1_00101PANJITUS1MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1MHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1MFAonsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA
US1M/UF4007TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
US1MS-GSensirionUS1MW_R1PANJITUS1MWGPANJITUS1MAUJIEJIE
US1ME-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A SMAEUS1M_R2PANJIT
US1MDFQ-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A DFLATUS1MF_R1PANJITUS1MHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M_R1PANJIT
US1MHE3 A/HElectro-Films (EFI) / VishayUS1MHE3-A/HElectro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที