ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี QH12BZ600
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - QH12BZ600 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - QH12BZ600
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.1 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Qspeed™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 11.6 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 34pF @ 10V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations QH12BZ600
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | QH12BZ600 | MUR180E | 1N5814 | UFR3120 |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | onsemi | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.1 V @ 12 A | 1.75 V @ 1 A | 900 mV @ 10 A | 1.25 V @ 30 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 11.6 ns | 100 ns | 35 ns | 50 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 100 V | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 1A | 20A | 30A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 34pF @ 10V, 1MHz | - | - | 115pF @ 10V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Stud Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 100 V | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) |
| ชุด | Qspeed™ | SWITCHMODE™ | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AB | Axial | DO-4 | DO-203AA (DO-4) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Box | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล QH12BZ600 PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ QH12BZ600 - Power Integrations
QH11121-DAT0-4FFOXCONNMUR180EonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO4UFR3120Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 30A DO203AA
MBRB735Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB
NRVBB1060T4GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 10A D2PAK
S3DB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A SMB
STTH802G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK
SCS220AECRohm SemiconductorDIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247C3D10060GWolfspeed, Inc.DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2
1N2128ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 70A DO5
QH12TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
NSR0340P2T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923MUR2520Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 25A DO41N2287RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO5
HS2MA R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214ACQH16-104HIPCFEON
1N3974Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 100A DO8| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที