ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี QH12TZ600
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - QH12TZ600 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - QH12TZ600
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.1 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Qspeed™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 11.6 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations QH12TZ600
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | QH12TZ600 | 1N1403 | PR3002-T | 1N5819-T |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | Solid State Inc. | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ชุด | Qspeed™ | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-201AD, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.1 V @ 12 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 3 A | 600 mV @ 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 100A | 3A | 1A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | DO-8 | DO-201AD | DO-41 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 50pF @ 4V, 1MHz | 110pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | 50 µA @ 600 V | 5 µA @ 100 V | 1 mA @ 40 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 11.6 ns | - | 150 ns | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 100 V | 40 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล QH12TZ600 PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ QH12TZ600 - Power Integrations
1N1403Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 100A DO8PR3002-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5819-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
1N4044Powerex Inc.DIODE GP 50V 275A DO205AB DO9
SBYV26C-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
HS247200Microsemi CorporationDIODE SCHOTTKY 200V 240A HALFPAK
GS1M_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
1N1127Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 12A DO4
1N1352Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIERS35160Microchip TechnologyRECTIFIER
STPSC4H065DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
STPS2L25USTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 25V 2A SMB
BAS70WT-TPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
QH12BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
1N4050RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 275A DO9
8TQ100STRRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB1N1198RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 40A DO5ER3GB-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที