ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SID1132K-TL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - SID1132K-TL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - SID1132K-TL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - แหล่งจ่ายไฟ | 22V ~ 28V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5000Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | - | |
| เทคโนโลยี | Magnetic Coupling | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | eSOP-R16B | |
| ชุด | SCALE-iDriver™ | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 450ns, 450ns (Max) | |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด) | - | |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด) | 340ns, 330ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - ยอดส่งออก | 2.5A | |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน | 1.2A, 1.3A | |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด) | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SID1132 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations SID1132K-TL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SID1132K-TL | SID1152K-TL | SIDR870ADP-T1-GE3 | SID1183K |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | Power Integrations | Vishay Siliconix | Power Integrations |
| ปัจจุบัน - ยอดส่งออก | 2.5A | 5A | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - แหล่งจ่ายไฟ | 22V ~ 28V | 22V ~ 28V | - | - |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด) | - | - | - | - |
| ชุด | SCALE-iDriver™ | SCALE-iDriver™ | TrenchFET® | SCALE™-1 |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | eSOP-R16B | eSOP-R16B | PowerPAK® SO-8DC | eSOP-R16B |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 5000Vrms | 5000Vrms | - | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 450ns, 450ns (Max) | 225ns, 225ns (Max) | - | 465ns, 460ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด) | 340ns, 330ns | 340ns, 330ns | - | - |
| เทคโนโลยี | Magnetic Coupling | Magnetic Coupling | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SID1132 | SID1152 | SIDR870 | SID1183 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | PowerPAK® SO-8 | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด) | - | - | - | - |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน | 1.2A, 1.3A | 2.4A, 2.6A | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SID1132K-TL PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ SID1132K-TL - Power Integrations
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DCSID1183KPower IntegrationsIC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B
SID01-12Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module
SID-5426SSID1152K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16BSID01-01FUJIIGBT Module
SID2552X03-AOSamsung SemiconductorSID5486XTRICSID01-06FUJIIGBT ModuleSIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAKSID01-09FUJIIGBT ModuleSID01-03FUJIIGBT Module
SID13775B02B600EpsonSID05N10SECOSSID01-08FUJIIGBT ModuleSID01-04FUJIIGBT ModuleSID01-02FUJIIGBT ModuleSID1183K-TLPower IntegrationsIC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที