ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SID1183K
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - SID1183K คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - SID1183K
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.75V ~ 5.25V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | eSOP-R16B | |
| ชุด | SCALE™-1 | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 465ns, 460ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.5V, 3.3V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 8A, 48A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SID1183 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations SID1183K
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SID1183K | SID1183K-TL | SID1132K-TL | SIDR668DP-T1-GE3 |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Vishay Siliconix |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 465ns, 460ns | 465ns, 460ns | 450ns, 450ns (Max) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.75V ~ 5.25V | 4.75V ~ 5.25V | - | - |
| ชุด | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE-iDriver™ | TrenchFET® Gen IV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | eSOP-R16B | eSOP-R16B | eSOP-R16B | PowerPAK® SO-8DC |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SID1183 | SID1183 | SID1132 | SIDR668 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | PowerPAK® SO-8 |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | - | - |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | - | - |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 8A, 48A | 8A, 48A | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | - | - |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.5V, 3.3V | 0.5V, 3.3V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SID1183K PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ SID1183K - Power Integrations
SID1183K-TLPower IntegrationsIC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16BSID1132K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16BSIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SID5486XTRICSID01-08FUJIIGBT ModuleSID01-06FUJIIGBT ModuleSID01-03FUJIIGBT Module
SID2552X03-AOSamsung Semiconductor
SID13775B02B600EpsonSID1152K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
SID01-12Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleSID01-09FUJIIGBT ModuleSID01-04FUJIIGBT ModuleSID-5426SSID01-01FUJIIGBT ModuleSIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DCSID05N10SECOSSID01-02FUJIIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที