ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFG40N10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - RFG40N10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - RFG40N10
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 40A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 160W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 300 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFG40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation RFG40N10
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFG40N10 | RFG40N10 | RFG60P05E | RFG40N10LE |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | onsemi | Harris Corporation |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 50 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 300 nC @ 20 V | 300 nC @ 20 V | 450 nC @ 20 V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 40A, 10V | 40mOhm @ 40A, 10V | 30mOhm @ 60A, 10V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | 40A (Tc) | 60A (Tc) | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 160W (Tc) | 160W (Tc) | 215W (Tc) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFG40 | RFG40 | RFG60 | - |
RFG40N10onsemiMOSFET N-CH 100V 40A TO247-3RFG75N10HAR
RFGA0024TR13RFMDRFGA2054TR13RFMDRFG60P05EonsemiMOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
RFG60N10Fairchild (onsemi)RFG60P06HARRFG40N10LEHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFG40N10Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 40A TO247-3RFG60P06EFairchild (onsemi)RFG75N06HARRFGA2054RFMDRFG50N06VBsemiRFGA2044TR7RFMDRFGA2044TR13RFMDRFGA0024QORVORFG75N05EHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFG70N06onsemiMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที