ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HVB187YPTR-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas Electronics America Inc - HVB187YPTR-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas Electronics America Inc - HVB187YPTR-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ความเร็ว | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | - | |
| ประเภทไดโอด | - | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | - | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | - | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Renesas Electronics America Inc HVB187YPTR-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HVB187YPTR-E | CDSUR101A | MUH1PB-M3/89A | 1N2068R |
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics America Inc | Comchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
| ประเภทไดโอด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | - | 1 V @ 100 mA | 1.05 V @ 1 A | 1.3 V @ 300 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | 4 ns | 40 ns | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | 2-SMD, No Lead | MicroSMP | DO-205AB, DO-9, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 3pF @ 0.5V, 1MHz | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | - | 100mA | 1A | 275A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | - | 125°C (Max) | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 190°C |
| ประเภทการติดตั้ง | - | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | - | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | 0603/SOD-523F | MicroSMP (DO-219AD) | DO-9 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | - | 80 V | 100 V | 1000 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | - | 50 nA @ 75 V | 1 µA @ 100 V | 75 µA @ 1000 V |
CDSUR101AComchip TechnologyDIODE GEN PURP 80V 100MA 0603
HVB14S1TR-ERenesas Electronics CorporationMUH1PB-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP1N2068RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 275A DO9HVB14STR-ERenesas Electronics CorporationHVB190STR-ERenesas Electronics America IncPLANAR PIN DIODE
UF4003Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
JAN1N3891Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
STTH30RQ06G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
SBR20M45D1Q-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 20A TO252-3
HFA16TB120SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO263AB
DSAI17-12AIXYSDIODE AVAL 1.2KV 25A DO203AA
MA3XD1500LPanasonic Electronic ComponentsDIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3-G1
60HF10Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 60A DO5HVB14STRHITACHIHVB190STRRenesas Electronics Corporation
SF2004GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 20A TO220ABHVB387BWKTRRenesas Electronics Corporation| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที