ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HVB190STR-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas Electronics America Inc - HVB190STR-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas Electronics America Inc - HVB190STR-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ความเร็ว | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | - | |
| ประเภทไดโอด | - | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | - | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | - | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Renesas Electronics America Inc HVB190STR-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HVB190STR-E | VS-T40HF100 | 1N3972 | SD101BWS |
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics America Inc | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | Yangjie Technology |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 2.1pF @ 0V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | - | Chassis Mount | Stud Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | - | - | 1.2 V @ 200 A | 950 mV @ 15 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | D-55 T-Module | DO-205AA, DO-8, Stud | SC-76, SOD-323 |
| ประเภทไดโอด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | D-55 | DO-8 | SOD-323 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | - | 1000 V | 1400 V | 50 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | - | - | 1 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | - | 15 mA @ 1000 V | 50 µA @ 1400 V | 200 nA @ 40 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | - | 40A | 100A | 15mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | - | - | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 125°C |
| ความเร็ว | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
HVB14STRHITACHIVS-T40HF100Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 40A D-551N3972Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO8SD101BWSYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single SOD
RF05VAM1STRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 500MA TUMD2S
HVB14STR-ERenesas Electronics CorporationHVB387BWKTRRenesas Electronics CorporationHVB187YPTR-ERenesas Electronics America IncPLANAR PIN DIODE
MURS210T3onsemiDIODE GEN PURP 100V 2A SMB
VS-20TQ045STRLPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263ABHVB190STRRenesas Electronics Corporation
CVFD20065ACree WolfspeedDIODE SCHKY SIC 650V 20A TO-220
STTH5R06DJF-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT
1SS355HY Electronic (Cayman) LimitedDIODE GEN PURP 90V 100MA SOD323
RLS-73TE-11Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 130MA LLDS
UPR5/TR7Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216NTE5873NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 12A DO4HVB14S1TR-ERenesas Electronics Corporation| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที