ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5195
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - 2N5195 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - 2N5195
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1A, 4A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-32-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 2MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 1.5A, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N51 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics 2N5195
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5195 | 2N5191 | 2N5195 | 2N5192 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 60 V | 80 V | 80 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bag | Bag |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 2MHz | 2MHz | 2MHz | 2MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-32-3 | SOT-32-3 | SOT-32-3 | TO-126 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N51 | 2N51 | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | PNP | NPN |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1A, 4A | 1.4V @ 1A, 4A | 1.2V @ 1A, 4A | 600mV @ 150mA, 1.5A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 40 W | 40 W | 40 W | 40 W |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 20 @ 1.5A, 2V | 25 @ 1.5A, 2V | 20 @ 1.5A, 2V | 20 @ 1.5A, 2V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1mA | 1mA | 1mA | 1mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5195 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ 2N5195 - STMicroelectronics
2N5191STMicroelectronicsTRANS NPN 60V 4A SOT32-3
2N5193GAMI Semiconductor/onsemi
2N5207Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5195NTE Electronics, IncTRANS PNP 80V 4A SOT32-32N5205Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR2N5192NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 4A TO1262N5192STMicroelectronicsTRANS NPN 80V 4A SOT32-32N5206Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR
2N5195GonsemiTRANS PNP 80V 4A TO1262N5194GonsemiTRANS PNP 60V 4A TO126
2N5204Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 600V 35A TO208AA2N51992N5195onsemiTRANS PNP PWR GP 4A 80V TO225AA2N5192GonsemiTRANS NPN 80V 4A TO126
2N5191Central Semiconductor CorpTRANS NPN 60V 4A TO1262N5191GonsemiTRANS NPN 60V 4A TO1262N5195Solid State Inc.TRANS PNP TO1262N5204Solid State Inc.TO 48 22 AMP SCR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที