ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6388
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - 2N6388 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - 2N6388
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 65 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 5A, 3V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N63 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics 2N6388
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6388 | 2N6387 | 2N6387G | 2N6385 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | Harris Corporation | onsemi | Microchip Technology |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | NPN - Darlington | NPN - Darlington | NPN - Darlington |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N63 | 2N6387 | 2N6387 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 5A, 3V | 1000 @ 5A, 3V | 1000 @ 5A, 3V | 1000 @ 5A, 3V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A | 3V @ 100mA, 10A | 3V @ 100mA, 10A | 3V @ 100mA, 10A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 65 W | 2 W | 2 W | 6 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220AB | TO-220 | TO-204AA (TO-3) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-204AA, TO-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 60 V | 60 V | 80 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 10 A | 10 A | 10 A | 10 A |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1mA | 1mA | 1mA | 1mA (ICBO) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6388 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ 2N6388 - STMicroelectronics
2N6387Harris CorporationTRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB2N6395GLittelfuse Inc.SCR 100V 12A TO220AB2N6387GonsemiTRANS NPN DARL 60V 10A TO2202N6397GLittelfuse Inc.SCR 400V 12A TO220AB2N6385Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA2N6388onsemiTRANS NPN DARL 80V 10A TO2202N6385NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA2N6388NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 80V 10A TO2202N6394TGLittelfuse Inc.SCR 50V 12A TO220AB
2N6394TGonsemiSILICON CONTROLLED RECTIFIER, 122N6394onsemiSCR 50V 12A TO220AB2N6387NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 60V 10A TO220
2N6386AMI Semiconductor/onsemi2N6395onsemiTHYRISTOR SCR 12A 100V TO220AB2N6388GonsemiTRANS NPN DARL 80V 10A TO2202N6394GLittelfuse Inc.SCR 50V 12A TO220AB2N6387onsemiTRANS NPN DARL 60V 10A TO220
2N6353Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที