ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6353
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N6353 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N6353
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-66 (TO-213AA) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-213AA, TO-66-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 5A, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6353 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N6353
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6353 | 2N6387G | 2N6385 | 2N6385 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | onsemi | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | 60 V | 80 V | 80 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-213AA, TO-66-3 | TO-220-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1µA | 1mA | 1mA (ICBO) | 1mA (ICBO) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 1000 @ 5A, 5V | 1000 @ 5A, 3V | 1000 @ 5A, 3V | 1000 @ 5A, 3V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 5 A | 10 A | 10 A | 10 A |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | NPN - Darlington | NPN - Darlington | NPN - Darlington |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6353 | 2N6387 | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Bag |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-66 (TO-213AA) | TO-220 | TO-204AA (TO-3) | TO-204AA (TO-3) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A | 3V @ 100mA, 10A | 3V @ 100mA, 10A | 3V @ 100mA, 10A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | 2 W | 6 W | 6 W |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6353 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N6353 - Microchip Technology
2N6387GonsemiTRANS NPN DARL 60V 10A TO2202N6385Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA2N6385NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA2N6339Solid State Inc.TRANS NPN 120V 25A TO32N6339Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N6349AGLittelfuse Inc.TRIAC 800V 12A TO220AB2N6388onsemiTRANS NPN DARL 80V 10A TO2202N6351Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 150V 5A TO332N6338NTE Electronics, IncTRANS NPN 100V 25A TO2042N6387NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 60V 10A TO2202N6344GLittelfuse Inc.TRIAC 600V 8A TO220AB2N6348AGLittelfuse Inc.TRIAC 600V 12A TO220AB2N6387Harris CorporationTRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
2N6388STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 80V 10A TO2202N6338Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N6344AGLittelfuse Inc.TRIAC 600V 12A TO220AB2N6387onsemiTRANS NPN DARL 60V 10A TO2202N6388NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 80V 10A TO220| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที