ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1675
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N1675 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N1675
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N1675
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1675 | 1N1676 | 1N1673 | 1N1672R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 400 V | 75 µA @ 500 V | 75 µA @ 200 V | 75 µA @ 150 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | 275A | 275A | 275A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 500 V | 200 V | 150 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) | DO-9 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1675 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N1675 - Solid State Inc.
1N1805MicrosemiIGBT Module1N1676Microchip TechnologyDIODE GP 500V 275A DO205AB DO91N1673Microchip TechnologyDIODE GP 200V 275A DO205AB DO91N1672RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 275A DO91N1674Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 275A DO91N1805AMicrosemiIGBT Module1N1673Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 275A DO91N1676RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 275A DO91N1804MicrosemiIGBT Module1N1675RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 275A DO91N1804AMicrosemiIGBT Module
1N1676BMSCIGBT Module1N1673RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 275A DO91N1674RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 275A DO91N1675Microchip TechnologyDIODE GP 400V 275A DO205AB DO91N1676Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 275A DO91N1674Microchip TechnologyDIODE GP 300V 275A DO205AB DO91N1675BMSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที