ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1675R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N1675R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N1675R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N1675R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1675R | 1N1674 | 1N1674R | 1N1676 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 300 V | 300 V | 500 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | DO-205AB (DO-9) | DO-9 | DO-205AB (DO-9) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Box | Bulk |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | 275A | 275A | 275A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 400 V | 75 µA @ 300 V | 75 µA @ 300 V | 75 µA @ 500 V |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1675R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N1675R - Solid State Inc.
1N1674Microchip TechnologyDIODE GP 300V 275A DO205AB DO91N1674RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 275A DO9
1N1674BMSCIGBT Module1N1676Microchip TechnologyDIODE GP 500V 275A DO205AB DO91N1676RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 275A DO9
1N1805MicrosemiIGBT Module1N1673BMSCIGBT Module1N1676Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 275A DO91N1675Microchip TechnologyDIODE GP 400V 275A DO205AB DO91N1804AMicrosemiIGBT Module1N1806MicrosemiIGBT Module1N1804MicrosemiIGBT Module1N1673RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 275A DO91N1676BMSCIGBT Module1N1805AMicrosemiIGBT Module1N1675Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 275A DO91N1674Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 275A DO91N1675BMSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที