ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3765
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3765 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3765
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 700 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 700 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3765
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3765 | 1N3744 | 1N3765 | 1N3743R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 275A | 35A | 275A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 700 V | 1400 V | 700 V | 1200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.3 V @ 300 A | 1.2 V @ 90 A | 1.3 V @ 300 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 700 V | 75 µA @ 1400 V | 10 µA @ 700 V | 75 µA @ 1200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-9 | DO-5 (DO-203AB) | DO-205AB (DO-9) |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
1N3744Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 275A DO91N3765Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 35A DO51N3743RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1.2KV 275A DO205AB1N3744RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1.4KV 275A DO205AB1N3765RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 40A DO5
1N3744RPowerex Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO2051N3744RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.4KV 275A DO9
1N3766GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 35A DO51N3766RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 800V 35A DO51N3744Microchip TechnologyDIODE GP 1.4KV 275A DO205AB DO91N3765RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 700V 35A DO51N3766RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 40A DO51N3744Powerex Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO2051N3766Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 40A DO51N3765GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 700V 35A DO51N3765RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 35A DO51N3766Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3743RPowerex Inc.RECTIFIER STUD MOUNT DO-9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที