ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6339
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 2N6339 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 2N6339
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 120 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.8V @ 2.5A, 25A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 40MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 50 @ 500mA, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 25 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 2N6339
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6339 | 2N6299 | 2N6298 | 2N6338 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-204AA, TO-3 |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.8V @ 2.5A, 25A | 2V @ 80mA, 8A | 2V @ 80mA, 8A | 1.8V @ 2.5A, 25A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 W | 64 W | 64 W | 200 W |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 50 @ 500mA, 2V | 750 @ 4A, 3V | 750 @ 4A, 3V | 30 @ 10A, 2V |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | PNP - Darlington | PNP - Darlington | NPN |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50µA | 500µA | 500µA | 50µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3 | TO-66 (TO-213AA) | TO-66 (TO-213AA) | TO-204 (TO-3) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bag |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 40MHz | - | - | 40MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 25 A | 8 A | 8 A | 25 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 120 V | 80 V | 60 V | 100 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6339 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 2N6339 - Solid State Inc.
2N6299Microchip TechnologyPNP TRANSISTOR2N6298Microchip TechnologyPNP TRANSISTOR2N6338NTE Electronics, IncTRANS NPN 100V 25A TO204
2N6344AGLittelfuse Inc.TRIAC 600V 12A TO220AB2N6349AGLittelfuse Inc.TRIAC 800V 12A TO220AB2N6338Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N6348AGLittelfuse Inc.TRIAC 600V 12A TO220AB2N6339Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N6324Microchip TechnologyTRANS PNP 200V 30A TO632N6315Microchip TechnologyTRANS NPN 60V 7A TO66
2N6353Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N6316Microchip TechnologyTRANS NPN 80V 7A TO66
2N6338onsemiTRANS NPN 100V 25A TO2042N6351Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 150V 5A TO332N6301Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N6344GLittelfuse Inc.TRIAC 600V 8A TO220AB2N6338Solid State Inc.TRANS NPN 100V 25A TO32N6385NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที