ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5817
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5817 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5817
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 450 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5817 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation 1N5817
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5817 | 1N5815R | 1N5816 | 1N5817 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Microchip Technology | Solid State Inc. | STMicroelectronics |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 20A | 20A | 1A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 10 µA @ 125 V | 10 µA @ 150 V | 500 µA @ 20 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5817 | 1N5815 | - | 1N5817 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-41 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 450 mV @ 1 A | 950 mV @ 20 A | 900 mV @ 10 A | 450 mV @ 1 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | 150°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Stud Mount | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard, Reverse Polarity | Standard | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 125 V | 150 V | 20 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Box | Cut Tape (CT) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5817 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ 1N5817 - Taiwan Semiconductor Corporation
1N5815RMicrochip TechnologyRECTIFIER DIODE
1N5817 S4CJ1N5816Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO41N5817STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5816Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5815RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 125V 20A DO4
1N5817Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO151N5816RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO41N5815Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5817Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5817Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
1N5817Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-15 20V 1A
1N5817onsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA1N5817NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5817 SS121N5815Solid State Inc.DIODE GEN PURP 125V 20A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที