ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HER1004G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - HER1004G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - HER1004G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HER1004 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation HER1004G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HER1004G | HER1006G | HER1004G C0G | HER1008G |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | Tube |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 10A | 10A | 10A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 600 V | 300V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 600 V | 10µA @ 300V | 10 µA @ 1000 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 80 ns | 50ns | 80 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 5 A | 1.7 V @ 5 A | 1V @ 5A | 1.7 V @ 5 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HER1004 | HER1006 | - | HER1008 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HER1004G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ HER1004G - Taiwan Semiconductor Corporation
HER103GWHER106LRCHER108GYangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41HER1006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB
HER105GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 1A DO204ALHER1004G C0GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220ABHER108GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1A DO204AL
HER1003Taiwan SemiconductorHER105HY
HER104 US1GTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHER107Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 800V 1A DO41HER1506BYDHER1008GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 10A TO220ABHER1004GATaiwan SemiconductorHER1040FCTTAIWANSEMIHER103-BRectron USAHER108Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41HER104HB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที