ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HER1008G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - HER1008G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - HER1008G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 80 ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HER1008 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation HER1008G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HER1008G | HER1006G | HER1004G | HER1004G C0G |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 300 V | 10µA @ 300V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 5 A | 1.7 V @ 5 A | 1 V @ 5 A | 1V @ 5A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 80 ns | 80 ns | 50 ns | 50ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HER1008 | HER1006 | HER1004 | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 10A | 10A | 10A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HER1008G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ HER1008G - Taiwan Semiconductor Corporation
HER108Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41HER106LRCHER1006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB
HER108GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1A DO204ALHER107Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 800V 1A DO41HER1040FCTTAIWANSEMIHER108GYangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41HER103-BRectron USAHER105GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 1A DO204ALHER1506BYDHER103GWHER1004GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB
HER1003Taiwan SemiconductorHER1004GATaiwan SemiconductorHER104HB
HER104 US1GTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraHER1004G C0GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220ABHER105HY| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที