ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HERA803G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - HERA803G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - HERA803G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation HERA803G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HERA803G | HERAF804G | HER608G | HERAF1605G |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Yangjie Technology | Taiwan Semiconductor Corporation |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 300 V | - | 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | - | 16A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | - | TO-220-2 Full Pack |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | ITO-220AC | - | ITO-220AC |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 8 A | 1 V @ 8 A | - | 1.3 V @ 16 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | - | 50 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz | 80pF @ 4V, 1MHz | - | 150pF @ 4V, 1MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 300 V | - | 10 µA @ 400 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Box (TB) | Tube |
HER803BLHERA1603GTaiwan SemiconductorHERAF1608GTaiwan SemiconductorHER605SUNMATEHERAF804GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 300V 8A ITO220ACHER608GYangjie TechnologyR-6 1000V 6.0A Diodes RectifieHERAF1601GTaiwan SemiconductorHERAF1605GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 16A ITO220ACHERAF1005GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 10A ITO220ACHER605GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 6A R-6HERAF803GTaiwan SemiconductorHERAF1008GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220ACHER608SUNMATEHERAF1006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 10A ITO220ACHER607SUNMATEHERA1607GTaiwan SemiconductorHER606SUNMATEHERA808GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 8A TO220AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที