ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HERAF1006G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - HERAF1006G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - HERAF1006G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ITO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 80 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1006G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HERAF1006G | HERA808G | HERAF1005G | HERAF1605G |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | 55pF @ 4V, 1MHz | 80pF @ 4V, 1MHz | 150pF @ 4V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 1000 V | 400 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 8A | 10A | 16A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 80 ns | 80 ns | 50 ns | 50 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 8 A | 1.3 V @ 10 A | 1.3 V @ 16 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ITO-220AC | TO-220AC | ITO-220AC | ITO-220AC |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
HERAF1608GTaiwan SemiconductorHERAF803GTaiwan SemiconductorHERA808GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 8A TO220ACHER803BLHERAF1005GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 10A ITO220ACHER608SUNMATEHERA1607GTaiwan SemiconductorHERA1603GTaiwan SemiconductorHERAF1605GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 16A ITO220ACHER608GYangjie TechnologyR-6 1000V 6.0A Diodes RectifieHERAF804GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC
HERCROM200 CTexas InstrumentsHERAF808GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220ACHERAF1008GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220ACHERAF1601GTaiwan SemiconductorHERA803GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACHERAF806GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 8A ITO220ACHER607SUNMATE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที