ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR840
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - MUR840 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - MUR840
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation MUR840
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR840 | MUR840G | MUR840F | MUR860 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Yangjie Technology | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 Isolated Tab | TO-220-2 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 8 A | 1.3 V @ 8 A | 1.3 V @ 8 A | 1.7 V @ 8 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220-2 | ITO-220AC | TO-220AC |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 60 ns | 50 ns | 50 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
MUR840GonsemiDIODE GEN PURP 400V 8A TO220-2MUR840FYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single ITOMUR860Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACMUR840onsemiDIODE GEN PURP 400V 8A TO220-2MUR820 COTaiwan Semiconductor
MUR820Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR860Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACMUR820onsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2MUR820Yangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-
MUR820PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)MUR820FYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single ITOMUR840GMUR840AMI Semiconductor/onsemiMUR860onsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
MUR860SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACMUR860Diotec SemiconductorDIODE SFR TO-220AC 600V 8AMUR840Harris CorporationDIODE GEN PURP 400V 8A TO220ACMUR820Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR820GonsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที