ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR820
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - MUR820 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - MUR820
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 975 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation MUR820
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR820 | MUR820 | MUR815 | MUR840 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Yangjie Technology | Harris Corporation | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 150 V | 10 µA @ 400 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC | TO-220-2 | TO-220-2 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 35 ns | 35 ns | 60 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ชุด | - | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 975 mV @ 8 A | 975 mV @ 8 A | 975 mV @ 8 A | 1.3 V @ 8 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 150 V | 400 V |
MUR820Yangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MUR815Harris CorporationDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR840onsemiDIODE GEN PURP 400V 8A TO220-2MUR810GonsemiDIODE GEN PURP 100V 8A TO220-2MUR815GonsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR815onsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR840Harris CorporationDIODE GEN PURP 400V 8A TO220ACMUR8120AMI Semiconductor/onsemiMUR816AMI Semiconductor/onsemi
MUR840Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 8A TO220ACMUR8100EHarris CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2
MUR820Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR820onsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2MUR820 COTaiwan SemiconductorMUR820GonsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
MUR820PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)MUR820FYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single ITOMUR8100EGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที