ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 10ETS08S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETS08S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETS08S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AB (D²PAK) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 10ETS08 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETS08S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 10ETS08S | 10ETF12 | 10ETS08 | 10ETS12S |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 10A | 10A | 10A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 10 A | 1.33 V @ 10 A | 1.1 V @ 10 A | 1.1 V @ 10 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 1200 V | 800 V | 1200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 10ETS08 | 10ETF12 | 10ETS08 | 10ETS12 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 800 V | 100 µA @ 1200 V | 50 µA @ 800 V | 50 µA @ 1200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-263AB (D²PAK) | TO-220AC | TO-220AC | TO-263AB (D²PAK) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 10ETS08S PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 10ETS08S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
10ETS08PBFIR10ETS12FPPBFIR10ETF06SPBFIR10ETS10SIR10ETF12SPBF MOSIR10ETF06S MOSIR
10ETS12PBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETF10PBFIR10ETF12Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC10ETS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC10ETS12SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB10ETF06FPPBFIR10ETF06Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC10ETF04SPBF MOSIR10ETS08STRLPBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETS08FPPBFIR10ETF12SPBFIR10ETF12FPPBFElectro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที