ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBU4M-E3/51
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4M-E3/51 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4M-E3/51
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 4 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU4 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4M-E3/51
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBU4M-E3/51 | GBU6005 | GBU604 | GBU6005 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | GBU | GBU | GBU |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 4 A | 1.1 V @ 6 A | 1.1 V @ 6 A | 1 V @ 3 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 50 V | 400 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU4 | GBU6005 | GBU604 | GBU6005 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU | 4-ESIP | 4-ESIP | 4-SIP, GBU |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3 A | 6 A | 6 A | 6 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBU4M-E3/51 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ GBU4M-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GBU601-01Diodes IncorporatedGBU6005SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBUGBU604SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU
GBU4K_B0_100A2PANJITGBU6005Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBUGBU4J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
GBU604Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBUGBU4M_B0_100A2-PECPANJITGBU4K-LS-LFLISIONGBU604Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU
GBU4J-E3/54Electro-Films (EFI) / VishayGBU4JL-6088E3/22Electro-Films (EFI) / VishayGBU4J_B0_10001-PECPANJIT
GBU603Taiwan SemiconductorGBU4KL-7014E3Electro-Films (EFI) / VishayGBU4K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
GBU4M-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU4K-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที