ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SM6S10ATHE3/I
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM6S10ATHE3/I คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM6S10ATHE3/I
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 10V | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 17V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 11.1V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-218AC | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, PAR® | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-218AC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 271A | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SM6S10 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | Automotive |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6S10ATHE3/I
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SM6S10ATHE3/I | SM6S14AHE3_A/I | SM6S12AHE3_A/I | SM6HT43A |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | STMicroelectronics |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 10V | 14V | 12V | 36.8V |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, PAR® | Automotive, AEC-Q101, PAR® | Automotive, AEC-Q101, PAR® | SM6HT, TRANSIL™ |
| ชนิด | Zener | Zener | Zener | Zener |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | No | No |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 271A | 198A | 231A | 10.1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SM6S10 | SM6S14 | SM6S12 | SM6HT |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | 1 | 1 | 1 |
| การประยุกต์ใช้งาน | Automotive | Automotive | Automotive | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-218AC | DO-218AB | DO-218AB | SMB (DO-214AA) |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 17V | 23.2V | 19.9V | 59.3V |
| พลังงาน - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) | 600W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 11.1V | 15.6V | 13.3V | 40.9V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-218AC | DO-218AB | DO-218AB | DO-214AA, SMB |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SM6S10ATHE3/I PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SM6S10ATHE3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SM6S14AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218ABSM6S12AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
SM6G45TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSM6JZ47TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSM6HT43ASTMicroelectronicsTVS DIODE 36.8VWM 59.3VC SMBSM6GZ47TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
SM6K2T110Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457SM6S12AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218ABSM6S13AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 13VWM 21.5VC DO218ABSM6J45TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSM6S14A-E3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218ABSM6S14AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218ABSM6S10AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 10VWM 17VC DO218ABSM6S10AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
SM6K2 T110LAPIS TechnologySM6S11AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218ABSM6S13AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 13VWM 21.5VC DO218ABSM6S11AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที