ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SM6S12AHE3_A/I
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM6S12AHE3_A/I คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM6S12AHE3_A/I
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 12V | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 19.9V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 13.3V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-218AB | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, PAR® | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-218AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 231A | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SM6S12 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | Automotive |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6S12AHE3_A/I
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SM6S12AHE3_A/I | SM6S15AHE3/2D | SM6S15A-E3/2D | SM6S13AHE3_A/I |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 12V | 15V | 15V | 13V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB |
| การประยุกต์ใช้งาน | Automotive | Automotive | General Purpose | Automotive |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 13.3V | 16.7V | 16.7V | 14.4V |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | No | No |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 231A | 189A | 189A | 214A |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 19.9V | 24.4V | 24.4V | 21.5V |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | - | - | - |
| ชนิด | Zener | Zener | Zener | Zener |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SM6S12 | SM6S15 | SM6S15 | SM6S13 |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | 1 | 1 | 1 |
| พลังงาน - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, PAR® | Automotive, AEC-Q101, PAR® | PAR® | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SM6S12AHE3_A/I PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SM6S12AHE3_A/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SM6S15AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 15VWM 24.4VC DO218ABSM6S15A-E3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 15VWM 24.4VC DO218ABSM6S13AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 13VWM 21.5VC DO218ABSM6S13AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 13VWM 21.5VC DO218ABSM6S14AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218ABSM6S11AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218ABSM6S14A-E3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218AB
SM6K2 T110LAPIS TechnologySM6S11AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 11VWM 18.2VC DO218ABSM6S15AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 15VWM 24.4VC DO218AB
SM6K2T110Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457SM6S12AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
SM6S10ATHE3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 10VWM 17VC DO218ACSM6S10AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 10VWM 17VC DO218ABSM6S14AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 14VWM 23.2VC DO218AB
SM6JZ47TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSM6J45TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSM6S10AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที