ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYV430K-300PQ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ WeEn Semiconductors - BYV430K-300PQ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ WeEn Semiconductors - BYV430K-300PQ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 55 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYV430 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ WeEn Semiconductors BYV430K-300PQ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYV430K-300PQ | BYV52-200 | BYV541V-200 | BYV42E-200127 |
| ผู้ผลิต | WeEn Semiconductors | STMicroelectronics | STMicroelectronics | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | SOT-93 | ISOTOP® | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | 25 µA @ 200 V | 50 µA @ 200 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 55 ns | 50 ns | 60 ns | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 200 V | 200 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A | 30A | 50A | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 30 A | 850 mV @ 20 A | 850 mV @ 50 A | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-218-3 | ISOTOP | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -40°C ~ 150°C | 150°C (Max) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYV430 | BYV52 | BYV541 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYV430K-300PQ PDF และเอกสาร WeEn Semiconductors สำหรับ BYV430K-300PQ - WeEn Semiconductors
BYV42E-200127WeEn Semiconductors Co., LtdBYV430K-300PWeEn Semiconductors Co., Ltd
BYV42EB-200Freescale / NXP SemiconductorsBYV42E-150Freescale / NXP SemiconductorsBYV541V150STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV52PI-200STMicroelectronicsBYV42E-200Freescale / NXP SemiconductorsBYV430J-600PWeEn Semiconductors Co., LtdBYV541V50STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV44-500NXP/WEENBYV430W-300PFreescale / NXP SemiconductorsBYV42G-200Freescale / NXP SemiconductorsBYV52-200STMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 30A SOT93BYV541V200STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV541V-200STMicroelectronicsDIODE MODULE 200V 50A ISOTOPBYV541V100STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV415W-600PWeEn Semiconductors Co., Ltd
BYV42EX-200LUMILEDS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที