บน 20/11/2024 38

2N2369 การสลับทรานซิสเตอร์: pinout ทางเลือกและข้อมูลจำเพาะ

บทความนี้สำรวจทรานซิสเตอร์ 2N2369 ซึ่งเป็นที่รู้จักในด้านประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือความเร็วสูงในการสลับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เราจะตรวจสอบการกำหนดค่า PIN ข้อมูลจำเพาะโดยละเอียดและแอปพลิเคชันต่างๆการอภิปรายยังรวมถึงทรานซิสเตอร์ทางเลือกและข้อมูลเชิงลึกจากผู้ผลิตเพิ่มความเข้าใจของเราว่า 2N2369 โต้ตอบกับส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ และมีอิทธิพลต่อความก้าวหน้าทางเทคโนโลยี

แคตตาล็อก

ทรานซิสเตอร์ 2N2369 คืออะไร?

ที่ 2N2369 ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์ NPN Epitaxial Planar Planar ที่ได้รับการชื่นชมจากความสามารถในการดำเนินการสลับอย่างรวดเร็วซึ่งมีแรงดันไฟฟ้าอิ่มตัวต่ำและพลวัตการเปิดปิดที่มีประสิทธิภาพวิศวกรรมของมันทำให้มันเป็นประโยชน์ในบริบทที่การอนุรักษ์พลังงานและการดำเนินการอย่างรวดเร็วนั้นได้รับการค้นหาในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่หลากหลายแอตทริบิวต์ที่โดดเด่นของทรานซิสเตอร์ 2N2369 คือความสามารถในการดำเนินการสลับความเร็วสูงคุณลักษณะนี้พบสาระสำคัญในการใช้งานเช่นแอมพลิฟายเออร์พัลส์ซึ่งการเปลี่ยนผ่านระหว่างรัฐฉีดพลังการผสมผสานอย่างกลมกลืนของความเร็วและประสิทธิภาพในองค์ประกอบเดียวได้นำเสนอปริศนาทางวิศวกรรม

แรงดันไฟฟ้าอิ่มตัวต่ำของ 2N2369 ลดการสูญเสียพลังงานระหว่างการดำเนินการซึ่งเหมาะกับระบบที่ใช้พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพลักษณะนี้อำนวยความสะดวกให้กับอุปกรณ์ที่ยาวนานและลดความเครียดจากความร้อนภายในวงจรซึ่งเป็นประโยชน์ในการปรับใช้ในทางปฏิบัติเพื่อเรียกร้องความไวต่อพลังงานลักษณะการเปิดออกอย่างรวดเร็วช่วยเพิ่มความสามารถของทรานซิสเตอร์สำหรับแอปพลิเคชันความถี่สูงด้วยการควบคุมเวลาที่ยังคงทำงานอยู่เมื่อไม่จำเป็นวงจรสามารถรักษาประสิทธิภาพและประสิทธิภาพที่น่าเกรงขามเทียบได้กับระบบเบรกรถยนต์ขั้นสูงที่ตอบสนองต่อคำสั่งไดรเวอร์อย่างรวดเร็วการปรับสมดุลการใช้พลังงานต่ำด้วยประสิทธิภาพของตัวเอกกลายเป็นความพยายามโฟกัสความชำนาญด้านสถาปัตยกรรมของ 2N2369 อำนวยความสะดวกในเรื่องนี้ทำให้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพาที่อายุยืนของแบตเตอรี่เป็นข้อกังวลที่โดดเด่นความกล้าหาญในการสลับอย่างรวดเร็วของ 2N2369 มีความสำคัญภายในเฟรมเวิร์กดิจิตอลความเร็วสูงเช่นตัวประมวลผลสัญญาณและตัวแปลงข้อมูล

ภาพด้านล่างแสดงแผนภาพแผนผังภายในของทรานซิสเตอร์ NPN แสดงให้เห็นถึงการเชื่อมต่อระหว่างฐาน (B), นักสะสม (C) และ Emitter (E)

2N2369 การกำหนดค่าพิน

2N2369 สัญลักษณ์และรอยเท้า

2N2369 ข้อกำหนดทางเทคนิค

ข้อกำหนดทางเทคนิคลักษณะและพารามิเตอร์ของ Microsemi Corporation 2N2369Aพร้อมกับส่วนประกอบที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกัน

พิมพ์	พารามิเตอร์
สถานะวงจรชีวิต	ในการผลิต (อัปเดตล่าสุด: 1 เดือนที่ผ่านมา)
ติดต่อชุบ	ตะกั่วดีบุก
ประเภทการติดตั้ง	ผ่านรู
จำนวนพิน	3
แรงดันรายละเอียดของนักสะสม	15V
อุณหภูมิการทำงาน	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
ที่ตีพิมพ์	ปี 2545
รหัส pbfree	เลขที่
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (ไม่ จำกัด )
รหัส ECCN	หู 99
การกระจายพลังงานสูงสุด	360MW
รูปแบบเทอร์มินัล	ลวด
การกำหนดค่า	เดี่ยว
เวลานำโรงงาน	12 สัปดาห์
ติดตั้ง	ผ่านรู
แพ็คเกจ / เคส	ถึง -206AA, โลหะถึง 18-3 กระป๋อง
วัสดุองค์ประกอบทรานซิสเตอร์	ซิลิคอน
จำนวนองค์ประกอบ	1
การบรรจุหีบห่อ	จำนวนมาก
รหัส JESD-609	E0
สถานะชิ้นส่วน	คล่องแคล่ว
จำนวนการยุติ	3
เทอร์มินัลเสร็จสิ้น	ตะกั่วดีบุก
ตำแหน่งเทอร์มินัล	ด้านล่าง
จำนวนพิน	3
การกระจายพลังงาน	360MW
การเชื่อมต่อกรณี	นักสะสม
ประเภทขั้ว/ช่อง	NPN
แรงดันไฟฟ้าของตัวสะสม (VCEO)	15V
DC Current Gain (HFE) (min) @ IC, VCE	20 @ 100ma 1V
ความถี่ในการเปลี่ยน	500MHz
แรงดันไฟฟ้าฐาน (VEBO)	4.5V
Collector-base capacitance-max	4pf
สถานะ ROHS	ไม่สอดคล้องกับ ROHS
แอปพลิเคชันทรานซิสเตอร์	การสลับ
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
Max Collector ปัจจุบัน	400ma
VCE Saturation (สูงสุด) @ IB, IC	450mv @ 10ma, 100ma
แรงดันฐานสะสม (VCBO)	40V
vcesat-max	0.45V
การชุบแข็งของรังสี	เลขที่
นำฟรี	มีตะกั่ว

คุณสมบัติของ 2N2369

- พิมพ์: ทรานซิสเตอร์ Bipolar NPN เหมาะสำหรับการใช้งานอเนกประสงค์

- Max Collector ปัจจุบัน: 200MA รองรับโหลดไฟฟ้าปานกลาง

- แรงดันรายละเอียดของนักสะสม: 15V เหมาะสำหรับโครงการพลังงานต่ำถึงปานกลาง

- แรงดันไฟฟ้าอิ่มตัว (VCE): 450MV เปิดใช้งานการสลับประหยัดพลังงาน

- แอปพลิเคชัน: ใช้ในการขยายสัญญาณการควบคุมมอเตอร์ขนาดเล็กและการสลับความเร็วสูง

- ผลงาน: เวลาตอบสนองอย่างรวดเร็วช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของวงจรในสถานการณ์การสลับอย่างรวดเร็ว

- ผลประโยชน์ทางวิศวกรรม: สมดุลสเปคทางทฤษฎีที่มีความน่าเชื่อถือสำหรับวงจรความแม่นยำ

- ความยืดหยุ่น: ปรับตัวได้สำหรับการออกแบบที่เป็นนวัตกรรมในภูมิทัศน์ทางเทคโนโลยีที่พัฒนาขึ้นในปัจจุบัน

- จุดแข็งที่สำคัญ: ประสิทธิภาพการปรับตัวและความเหมาะสมสำหรับความท้าทายด้านวิศวกรรมสมัยใหม่

แอปพลิเคชันของ 2N2369

การสลับความเร็วสูง

มีชื่อเสียงในเรื่องความสามารถในการสลับอย่างรวดเร็วมันทำหน้าที่เป็นอินเทอร์เฟซที่ไร้รอยต่อระหว่างแอคชูเอเตอร์พลังงานต่ำและวงจรควบคุมการเปลี่ยนแปลงนี้ให้ความน่าเชื่อถือที่สอดคล้องกันสำหรับงานที่ไวต่อเวลาเพิ่มความแข็งแกร่งของระบบความน่าเชื่อถือดังกล่าวมีมูลค่าสูงทั้งในเชิงพาณิชย์และอุตสาหกรรม

การขยายสัญญาณ

2N2369 เป็นองค์ประกอบที่ต้องการในวงจรเสียงและ RF ที่ต้องการการขยายเสียงรบกวนต่ำการใช้งานในแอมพลิฟายเออร์ช่วยยกระดับความชัดเจนของเสียงและความจงรักภักดีของสัญญาณคนอื่นพึ่งพาทรานซิสเตอร์นี้เพื่อรักษาความสมบูรณ์ของสัญญาณในระยะทางเพื่อให้ได้ความสมดุลที่ละเอียดอ่อนระหว่างข้อกำหนดและการใช้งานจริงสิ่งนี้สะท้อนให้เห็นถึงความก้าวหน้าอย่างต่อเนื่องในเทคโนโลยีเสียงและการสื่อสารซึ่งความชัดเจนมีความสำคัญ

แอปพลิเคชันในระบบดิจิตอลและแบบอะนาล็อก

2N2369 ถูกรวมเข้ากับระบบดิจิตอลและอะนาล็อกที่ทันสมัยอย่างกว้างขวางเนื่องจากความสามารถในการจัดการระดับกระแสและแรงดันไฟฟ้าที่หลากหลายเป็นองค์ประกอบสำคัญในระบบที่ซับซ้อนเช่นตัวประมวลผลสัญญาณดิจิตอลและไมโครคอนโทรลเลอร์ส่วนประกอบเหล่านี้ออกแบบมาด้วยความแม่นยำช่วยให้ระบบทำการคำนวณได้อย่างรวดเร็วและแม่นยำการปรับปรุงที่เพิ่มขึ้นส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพโดยเน้นการพิจารณาการออกแบบอย่างระมัดระวังในวิศวกรรมไฟฟ้า

ผลกระทบต่อการคำนวณและการสื่อสารโทรคมนาคม

ในสาขาการคำนวณและการสื่อสารโทรคมนาคม 2N2369 เป็นส่วนสำคัญของสถาปัตยกรรมหลักที่เป็นรากฐานของการประมวลผลข้อมูลและการส่งข้อมูลการมีส่วนร่วมของมันมีความสำคัญในการเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานและเพิ่มความเร็วในการประมวลผลสำหรับความก้าวหน้าในการคำนวณรุ่นต่อไปแม้ว่าการเพิ่มประสิทธิภาพอาจดูเรียบง่ายเป็นรายบุคคล แต่เมื่อนำไปใช้กับเครือข่าย แต่ก็ส่งผลให้เกิดความก้าวหน้าที่โดดเด่นซึ่งแสดงให้เห็นถึงผลกระทบอย่างกว้างขวางของการปรับปรุงทางวิศวกรรมโดยละเอียด

สารทดแทนสำหรับทรานซิสเตอร์ 2N2369

• 2N2221

- 2N2222

• BC378

• BC378-6

• BC378-7

ทางเลือกของ 2N2369

ส่วนหนึ่ง	เปรียบเทียบ	ผู้ผลิต	หมวดหมู่	คำอธิบาย
Jan2n2369a	ส่วนปัจจุบัน	microsemi	BJTS	ทรานส์ GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN ถึง -18
jantx2n2369a	Jan2n2369a vs jantx2n2369a	microsemi	BJTS	ทรานส์ GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN ถึง -18
jans2n2369a	Jan2n2369a vs jans2n2369a	microsemi	BJTS	ถึง -18 NPN 15V
2N2369A	Jan2n2369a กับ 2N2369ALEADFREE	เซมิคอนดักเตอร์กลาง		ถึง -18 npn 15v 0.2a

ขนาดแพ็คเกจสำหรับ 2N2369

2N2369 ข้อมูลผู้ผลิต

Microsemi Corporation เปล่งประกายในการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ที่มีความซับซ้อนและโซลูชั่นระบบที่เหมาะสำหรับภาคส่วนต่าง ๆ เช่นการบินและอวกาศการป้องกันการสื่อสารและศูนย์ข้อมูลจิตวิญญาณที่เป็นนวัตกรรมของพวกเขาชัดเจนในความซับซ้อนของวงจรบูรณาการที่มีประสิทธิภาพสูง (ICS) เครื่องมือการจัดการพลังงานที่ทันสมัยและโซลูชั่นเครือข่ายที่ปลอดภัยที่ไม่มีใครเทียบMicrosemi ให้ความสำคัญกับ ICS ที่มีประสิทธิภาพสูงตอกย้ำความมุ่งมั่นของพวกเขาที่จะตอบสนองความต้องการทางเทคนิคของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ร่วมสมัยรูปแบบ ICS เหล่านี้สำหรับระบบที่ต้องการความแม่นยำและความน่าเชื่อถือโดยเฉพาะอย่างยิ่งในการตั้งค่าการบินและอวกาศและการป้องกันซึ่งความเสี่ยงจากความล้มเหลวอาจมีความสำคัญการปรับปรุงประสิทธิภาพและความสามารถของเครือข่ายการสื่อสารนั้นได้รับการเปิดใช้งานโดย ICS ที่มีประสิทธิภาพสูงเหล่านี้โดยเน้นความพยายามอย่างต่อเนื่องในนวัตกรรมโซลูชั่นการจัดการพลังงานของ Microsemi มีบทบาทสำคัญในภูมิทัศน์ที่ใส่ใจด้านพลังงานในปัจจุบันออกแบบมาเพื่อเพิ่มการใช้พลังงานสูงสุดลดความไร้ประสิทธิภาพและรักษาประสิทธิภาพในการปฏิบัติงานเครื่องมือเหล่านี้สะท้อนอย่างรุนแรงภายในบริบทของข้อมูลที่หนักหน่วงของศูนย์ข้อมูลการทำหน้าที่เป็นมากกว่าความจำเป็นทางเทคนิคการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพนำเสนอข้อได้เปรียบเชิงกลยุทธ์ส่งผลให้ต้นทุนลดลงและส่งเสริมการปฏิบัติที่ยั่งยืนซึ่งได้รับความสำคัญในการวางแผนองค์กร

PDF แผ่นข้อมูล

2N2222 แผ่นข้อมูล:

2N22 (18-22) datasheet.pdf