บน 17/10/2024 396

IRF730 ทรานซิสเตอร์: คู่มือที่ครอบคลุมเกี่ยวกับแผ่นข้อมูล Pinout และแอปพลิเคชัน

IRF730 ซึ่งเป็น MOSFET N-Channel ที่มีอยู่ในแพ็คเกจ TO-220 และ TO-220AB โดดเด่นด้วยความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพในการจัดการแรงดันไฟฟ้าสูงในการใช้งานทางอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆในบทความนี้เราดำดิ่งสู่การวิเคราะห์ที่ครอบคลุมของ IRF730 สำรวจคุณสมบัติทางเทคนิคการใช้งานจริงในระบบยานยนต์และการสื่อสารและการพิจารณาการออกแบบที่มีประโยชน์ไม่ว่าคุณจะจัดการการกระจายพลังงานหรือการสร้างวงจรที่มีประสิทธิภาพการสลับการสลับความเร็วสูงของ IRF730 การสลับความเร็วสูงและประสิทธิภาพความร้อนที่เหนือกว่าทำให้เป็นส่วนประกอบที่มีค่าในระบบการจัดการพลังงาน

แคตตาล็อก

pinout ของ IRF730

รุ่น CAD ของ IRF730

สัญลักษณ์ IRF730

รอยเท้า IRF730

รุ่น IRF730 3D

ภาพรวม IRF730

ที่ IRF730 เป็น Mosfet N-channel ที่แข็งแกร่งซึ่งมีความหลากหลายในการใช้งานเนื่องจากการก่อสร้างที่แข็งแรงและมีประสิทธิภาพสูงห่อหุ้มทั้งในแพ็คเกจทั้ง 220 และ TO-220AB ส่วนประกอบนี้สามารถจัดการท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่องสูงถึง 5.5A ที่ 400Vมันเจริญเติบโตในการเรียกร้องสภาพแวดล้อมทางอิเล็กทรอนิกส์กระจายพลังงานอย่างมีประสิทธิภาพด้วยความสามารถสูงถึง 75W และรองรับกระแสท่อระบายน้ำพัลซิ่งที่ 22aสิ่งนี้ทำให้ IRF730 เป็นตัวเลือกที่เชื่อถือได้สำหรับสถานการณ์ที่มีความเครียดสูงหลายแห่งแสดงให้เห็นถึงความแข็งแกร่งและความยืดหยุ่น

ความสามารถของ IRF730 ในการจัดการกับโหลดไฟฟ้าที่โดดเด่นทำให้มันเหมาะสำหรับแอมพลิฟายเออร์เสียงสูงในการตั้งค่าเหล่านี้ลักษณะของ MOSFET ช่วยให้มั่นใจว่าการบิดเบือนสัญญาณน้อยที่สุดและประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ภายใต้สภาวะที่มีพลัง - เส้นชีวิตสำหรับการดิ้นรนเพื่อเสียงที่สมบูรณ์แบบสิ่งนี้ใช้ในอุปกรณ์เสียงที่คุณภาพเสียงที่สอดคล้องกันนั้นโดดเด่นการปรับใช้ในทางปฏิบัติในวงจรเครื่องขยายเสียงแสดงให้เห็นว่าอุปกรณ์เช่น IRF730 มีส่วนช่วยอย่างมากในการบรรลุความซื่อสัตย์ที่ต้องการโดยเฉพาะอย่างยิ่งในสภาพแวดล้อมเสียง

ประสบการณ์เน้นความสำคัญของการรวม IRF730 เข้ากับวงจรด้วยการจัดการความร้อนอย่างระมัดระวังกลยุทธ์เช่นการจมความร้อนและการออกแบบ PCB เพื่อเพิ่มการกระจายความร้อนมักใช้เพื่อตอบสนองความต้องการเหล่านี้คุณสามารถทราบได้ว่าการเพิ่มประสิทธิภาพด้านเหล่านี้สามารถยืดอายุการใช้งานและความน่าเชื่อถือของประสิทธิภาพของ MOSFET ได้อย่างมากทำให้เป็นวัตถุดิบในชุดเครื่องมือของพวกเขานอกจากนี้การเลือกแรงดันไฟฟ้าเกตเกตที่เหมาะสมและทำให้มั่นใจว่าการแยกที่เหมาะสมในแอปพลิเคชันแรงดันไฟฟ้าสูงจำเป็นต้องใช้เพื่อหลีกเลี่ยงความล้มเหลวที่อาจเกิดขึ้น

ผู้ผลิต IRF730

STMICROELTRONICS เจริญเติบโตเป็นโรงไฟฟ้าเซมิคอนดักเตอร์ซึ่งได้รับการยอมรับอย่างกว้างขวางสำหรับความเชี่ยวชาญของซิลิกอนและการพัฒนาระบบบริษัท มีความเชี่ยวชาญในเทคโนโลยีระบบบนชิป (SOC) ซึ่งได้รับการสนับสนุนจากความกล้าหาญในการผลิตที่ครอบคลุมและพอร์ต IP ที่กว้างขวางซึ่งสอดคล้องกับความต้องการที่พัฒนาขึ้นของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ร่วมสมัย

ความเชี่ยวชาญของ Stmicroelectronics ในเทคโนโลยี SOC เป็นเสาหลักที่ดีที่สุดของความสำเร็จSOCs ผสมผสานองค์ประกอบต่าง ๆ อย่างชาญฉลาด - ผู้ประมวลผลหน่วยหน่วยความจำและอุปกรณ์ต่อพ่วง - หรือชิปเดียวซึ่งเพิ่มประสิทธิภาพพื้นที่และเพิ่มประสิทธิภาพการบูรณาการที่รอบคอบนี้ช่วยลดการใช้พลังงานและเพิ่มประสิทธิภาพคุณลักษณะที่เป็นพื้นฐานสำหรับอุปกรณ์ที่ทันสมัยกะทัดรัดและพกพานวัตกรรมของ บริษัท ในพื้นที่นี้แสดงให้เห็นถึงความเข้าใจที่แน่นอนเกี่ยวกับวิธีการสร้างสมดุลระหว่างองค์ประกอบที่ร้ายแรงเหล่านี้อย่างกลมกลืน

ความสามารถในการผลิตที่แข็งแกร่งของ STMicroelectronics สนับสนุนความสามารถในการผลิตผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูงด้วยสิ่งอำนวยความสะดวกการผลิตที่ทันสมัยหรือที่รู้จักกันในชื่อ Fabs บริษัท กำหนดให้มีการควบคุมคุณภาพอย่างพิถีพิถันตลอดกระบวนการผลิตทั้งหมดความพิถีพิถันนี้ทำให้มั่นใจได้ถึงความมั่นคงและความน่าเชื่อถือซึ่งโดดเด่นในอุตสาหกรรมเทคโนโลยีที่มีการแข่งขันสูงผลการใช้งานจริงของความสามารถเหล่านี้คือการขยายวงจรชีวิตของผลิตภัณฑ์และลดอัตราข้อบกพร่องซึ่งนำไปสู่ความพึงพอใจของลูกค้าที่เพิ่มสูงขึ้น

คุณสมบัติของ IRF730

คุณสมบัติ	ข้อมูลจำเพาะ
บรรจุุภัณฑ์ พิมพ์	ถึง 220AB ถึง 220
ทรานซิสเตอร์ พิมพ์	n ช่อง
แรงดันสูงสุด (ระบายไปยังแหล่งที่มา)	400V
สูงสุด ประตูสู่แรงดันไฟฟ้า	± 20V
สูงสุด กระแสท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง	5.5a
สูงสุด กระแสท่อระบายน้ำพัลซิ่ง	22a
สูงสุด การกระจายพลังงาน	75W
ขั้นต่ำสุด แรงดันไฟฟ้าในการดำเนินการ	2V ถึง 4V
สูงสุด อุณหภูมิการจัดเก็บและการทำงาน	-55 ถึง +150 ℃

ทางเลือก IRF730

IRF730S

irfi730g

IRFS730

IRF330

IRF331

STP7NA40

แอปพลิเคชันของ IRF730

IRF730 เป็นองค์ประกอบอเนกประสงค์ที่เก่งในบริบทต่าง ๆ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในสภาพแวดล้อมที่มีแรงดันสูงแสดงให้เห็นถึงความสามารถในการปรับและดำเนินการอย่างมีประสิทธิภาพธรรมชาติที่แข็งแกร่งรองรับการขับขี่โหลดได้สูงถึง 5.5A และรวมเข้ากับ ICS, ไมโครคอนโทรลเลอร์และแพลตฟอร์มการพัฒนายอดนิยมเช่น Arduino และ Raspberry Pi

แอปพลิเคชันแรงดันสูง

IRF730 ส่องแสงในสถานการณ์แรงดันสูงโดยการจัดการระดับแรงดันไฟฟ้าที่น่าทึ่งด้วยความแม่นยำและความน่าเชื่อถือคุณสมบัตินี้ค้นหาแอปพลิเคชันในระบบระบบอัตโนมัติอุตสาหกรรมซึ่งองค์ประกอบการควบคุมพลังงานที่สอดคล้องและแม่นยำทำให้การดำเนินงานราบรื่นระบบเหล่านี้มักจะขึ้นอยู่กับประสิทธิภาพดังกล่าวเพื่อลดการหยุดทำงานและให้ความมั่นคงในการดำเนินงานระบบอัตโนมัติอุตสาหกรรมเน้นการควบคุมพลังงานที่สอดคล้องกันการทำงานที่แม่นยำและเพิ่มเสถียรภาพในการปฏิบัติงาน

บริบทอเนกประสงค์ทั่วไป

ในแอปพลิเคชั่นที่มีวัตถุประสงค์ทั่วไป IRF730 โดดเด่นสำหรับความยืดหยุ่นพบว่าใช้ในการสลับหน่วยงานกำกับดูแลไดรเวอร์มอเตอร์และการออกแบบวงจรต่าง ๆ ให้ประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ความเก่งกาจนี้มีค่ามากในการตั้งค่าการศึกษาซึ่งช่วยคุณในการสำรวจและดำเนินการตามหลักการอิเล็กทรอนิกส์ที่หลากหลายการใช้งานที่โดดเด่นในบริบทของวัตถุประสงค์ทั่วไปอยู่ในการสลับหน่วยงานกำกับดูแลไดรเวอร์มอเตอร์และโครงการการศึกษา

เชื่อมต่อกับ ICS และไมโครคอนโทรลเลอร์

การเชื่อมต่อที่มีประสิทธิภาพกับ ICS และไมโครคอนโทรลเลอร์เป็นประโยชน์ที่โดดเด่นของ IRF730ความเข้ากันได้นี้ทำให้เป็นส่วนประกอบที่ต้องการในระบบฝังตัวหลายระบบตัวอย่างเช่นในอุปกรณ์สมาร์ทโฮม IRF730 ไดรฟ์แอคทูเอเตอร์และเซ็นเซอร์ช่วยให้การประสานงานและมีประสิทธิภาพภายใต้คำแนะนำของไมโครคอนโทรลเลอร์กลางแอพพลิเคชั่นในระบบฝังตัวคืออุปกรณ์สมาร์ทโฮมและแอคทูเอเตอร์และการควบคุมเซ็นเซอร์

การรวมเข้ากับแพลตฟอร์มการพัฒนา

แพลตฟอร์มการพัฒนาเช่น Arduino และ Raspberry Pi ได้รับอย่างมากจากความสามารถของ IRF730มักใช้ในการสร้างต้นแบบและการพัฒนาแพลตฟอร์มเหล่านี้ต้องการส่วนประกอบที่สามารถรักษาประสิทธิภาพในการพัฒนาอย่างรวดเร็วประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ของ IRF730 ช่วยคุณในการสร้างการออกแบบที่มั่นคงอย่างรวดเร็วแพลตฟอร์มการพัฒนาได้รับประโยชน์จากสภาพแวดล้อมการสร้างต้นแบบรอบการพัฒนาอย่างรวดเร็วและรอบการพัฒนาที่เชื่อถือได้

วงจรทดสอบของ IRF730

สร้างความมั่นใจว่าอายุยืนของ IRF730

การสร้างความมั่นใจว่าฟังก์ชั่น IRF730 อย่างมีประสิทธิภาพในระยะยาวนั้นเกี่ยวข้องกับการหลีกเลี่ยงความสามารถสูงสุดที่ได้รับสูงสุดการผลักส่วนประกอบใด ๆ ไปยังขีด จำกัด บนไม่เพียง แต่ทำให้เกิดความเครียดที่ไม่เหมาะสม แต่ยังมีความเสี่ยงที่จะล้มเหลวในที่สุดแต่วิธีการที่รอบคอบมากขึ้นคือการใช้งาน IRF730 ที่ประมาณ 80% ของความสามารถในการจัดอันดับสิ่งนี้ให้บัฟเฟอร์ความปลอดภัยที่เสริมความน่าเชื่อถือและความเสถียร

การ จำกัด แรงดันไฟฟ้าโหลดเป็น 320V ต่ำกว่าความจุสูงสุดอย่างมากเป็นสิ่งสำคัญในการป้องกันการสลายภายใต้สภาวะที่มีความเครียดสูงในทำนองเดียวกันการควบคุมกระแสไฟฟ้าอย่างต่อเนื่องสูงสุด 4.4a และกระแสพัลซิ่งเป็น 17.6a ช่วยลดความเครียดจากความร้อนและไฟฟ้าได้อย่างมีประสิทธิภาพจากมุมมองเชิงปฏิบัติกลยุทธ์นี้ยึดมั่นในแนวทางปฏิบัติที่ดีที่สุดในการออกแบบฮาร์ดแวร์ซึ่งส่วนประกอบที่ทำให้มั่นใจได้ว่าอายุยืนและประสิทธิภาพความสอดคล้องในแอพพลิเคชั่นในโลกแห่งความเป็นจริง

การรักษาอุณหภูมิการทำงานที่เหมาะสมใช้สำหรับ IRF730ช่วงอุณหภูมิที่แนะนำครอบคลุมตั้งแต่ -55 ° C ถึง +150 ° Cการอยู่ในวงนี้ทำให้มั่นใจได้ว่าวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ทำหน้าที่ได้ดีที่สุดลดโอกาสในการหลบหนีความร้อนหรือประสบการณ์ความล้มเหลวที่เกี่ยวข้องกับความร้อนอื่น ๆ บ่งชี้ว่าการตรวจสอบและควบคุมอุณหภูมิภายในพารามิเตอร์เหล่านี้อย่างต่อเนื่องสามารถเพิ่มอายุการใช้งานขององค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ได้อย่างมาก

บรรจุภัณฑ์ของ IRF730

ส่วนประกอบที่คล้ายกัน

พิมพ์	พารามิเตอร์
ติดตั้ง	ผ่านรู
ประเภทการติดตั้ง	ผ่านรู
แพ็คเกจ / เคส	ถึง 220-3
จำนวนพิน	3
วัสดุองค์ประกอบทรานซิสเตอร์	ซิลิคอน
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง (ID) @ 25 ℃	5.5A TC
แรงดันไฟฟ้าไดรฟ์ (สูงสุด RDS, ขั้นต่ำ RDS)	10V
จำนวนองค์ประกอบ	1
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)	100W TC
ปิดเวลาหน่วง	15 ns
อุณหภูมิการทำงาน	150 ° C TJ
การบรรจุหีบห่อ	หลอด
ชุด	PowerMesh ™ II
รหัส JESD-609	E3
สถานะชิ้นส่วน	ล้าสมัย
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (ไม่ จำกัด )
จำนวนการยุติ	3
รหัส ECCN	หู 99
เทอร์มินัลเสร็จสิ้น	มัตเต้ดีบุก (SN)
คุณสมบัติเพิ่มเติม	แรงดันสูงการสลับอย่างรวดเร็ว
แรงดันไฟฟ้า - DC จัดอันดับ	400V
คะแนนปัจจุบัน	5.5a
หมายเลขชิ้นส่วนฐาน	IRF7
จำนวนพิน	3
แรงดันไฟฟ้า	400V
การกำหนดค่าองค์ประกอบ	เดี่ยว
ปัจจุบัน	55A
โหมดปฏิบัติการ	โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ
การกระจายพลังงาน	100W
ประเภท fet	n-channel
แอปพลิเคชันทรานซิสเตอร์	การสลับ
rds on (สูงสุด) @ id, vgs	1 Ω @ 3a, 10v
vgs (th) (สูงสุด) @ id	4V @ 250μA
อินพุตความจุ (CISS) (สูงสุด) @ VDS	530pf @ 25v
Gate Charge (QG) (สูงสุด) @ VGS	24NC @ 10V
เวลาขึ้น	11 ns
VGS (สูงสุด)	± 20V
เวลาตก (พิมพ์)	9 ns
กระแสท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง (ID)	5.5a
รหัส JEDEC-95	ถึง 220ab
ประตูสู่แรงดันไฟฟ้า (VGS)	20V
ท่อระบายน้ำบนตัวต้านทาน	1Ω
ระบายไปยังแรงดันไฟฟ้า	400V
ข้อเสนอแนะ cap-max (CRSS)	65 pf
การชุบแข็งของรังสี	เลขที่
สถานะ ROHS	Rohs3 เป็นไปตามมาตรฐาน
นำฟรี	มีตะกั่ว

PDF แผ่นข้อมูล

แผ่นข้อมูล IRF730:

irf730.pdf

คำถามที่พบบ่อย [คำถามที่พบบ่อย]

1. IRF730 คืออะไร?

IRF730 เป็น MOSFET N-Channel ที่มีประสิทธิภาพสูงในแพ็คเกจ TO-220 และ TO-220ABรองรับได้มากถึง 5.5A ที่ 400V มันกระจายไป 75W และจัดการกระแสพัลซิ่ง 22aคุณลักษณะนี้ทำให้มีค่าสำหรับแอมพลิฟายเออร์เสียงสูงและแอพพลิเคชั่นที่จริงจังอื่น ๆคุณมักจะพบว่ามีประสิทธิภาพสูงในวงจรที่จัดลำดับความสำคัญของประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูง

2. แอปพลิเคชั่นหลักของ IRF730 คืออะไร?

ส่วนใหญ่ออกแบบมาสำหรับการสลับความเร็วสูง IRF730 เหมาะสำหรับใช้ในระบบแหล่งจ่ายไฟ (UPS) ที่ไม่หยุดยั้งตัวแปลง DC-DC อุปกรณ์โทรคมนาคมระบบไฟและการใช้งานอุตสาหกรรมต่างๆความต้องการพลังงานขับเคลื่อนเกตต่ำของมันเป็นสินทรัพย์ในสถานการณ์ที่ต้องลดการใช้พลังงานให้น้อยที่สุดตัวอย่างเช่นในการเรียกร้องสภาพแวดล้อมอุตสาหกรรมความแข็งแกร่งของมันทำให้มั่นใจได้ว่าการดำเนินงานระยะยาวที่เชื่อถือได้

3. IRF730 ทำงานอย่างไร?

เงื่อนไขที่เหมาะสมสำหรับ IRF730 รวมถึง

แรงดันไฟฟ้าระบายน้ำสูงสุด: 400V

แรงดันไฟฟ้าประตูสูงสุด: ± 20V

กระแสท่อระบายน้ำต่อเนื่องสูงสุด: 5.5a

กระแสท่อระบายน้ำพัลซิ่งสูงสุด: 22a

ฝาครอบพลังงาน: 75W

ช่วงแรงดันไฟฟ้านำ: 2V ถึง 4V

อุณหภูมิการทำงานและการจัดเก็บ: -55 ถึง +150 ° C

ประสบการณ์เน้นว่าการยึดติดกับพารามิเตอร์เหล่านี้มีการใช้งานเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและอายุการใช้งานของ IRF730 ให้มากที่สุดโดยเน้นถึงความจำเป็นของการจัดการความร้อนที่เหมาะสมและการควบคุมแรงดันไฟฟ้า