ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5819
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Yangjie Technology - 1N5819 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Yangjie Technology - 1N5819
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 10 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Yangjie Technology 1N5819
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5818RLG |
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | onsemi | Microchip Technology | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 1 A | 600 mV @ 1 A | 490 mV @ 1 A | 550 mV @ 1 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5818 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | DO-41 | Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 40 V | 45 V | 30 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 40 V | 500 µA @ 40 V | 50 µA @ 45 V | 1 mA @ 30 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO041, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 10 ns | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz | 110pF @ 4V, 1MHz | 70pF @ 5V, 1MHz | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5819 PDF และเอกสาร Yangjie Technology สำหรับ 1N5819 - Yangjie Technology
1N5819 TE12LTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5819onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5819Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO411N5818RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL1N5819 S4CJ1N5818GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL1N5819(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5818WJINGDAO1N5819NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5819 SS14 SMAMIC
1N5819Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
1N5819STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5819 SS14 SMA TOSTOS1N5818/SS16TOSHIBA/GC1N5818MGS1N5819 SS14
1N5819Diotec SemiconductorDIODE SCHOT 40V 1A DO15/DO204AC
1N5818A-01Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที