ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5819
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - 1N5819 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - 1N5819
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO15/DO204AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor 1N5819
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5818RLG |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | STMicroelectronics | Yangjie Technology | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 40 V | 500 µA @ 40 V | 100 µA @ 40 V | 1 mA @ 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 40 V | 40 V | 30 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO15/DO204AC | DO-41 | DO-41 | Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 110pF @ 4V, 1MHz | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5818 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 3 A | 550 mV @ 1 A | 600 mV @ 1 A | 550 mV @ 1 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AC, DO-15, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5819 PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ 1N5819 - Diotec Semiconductor
1N5819STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5818WJINGDAO1N5819 SS14 SMAMIC1N5819Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5819 T/P1N5819 SS14 SMA TOSTOS
1N5819(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5818RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL1N5819 TE12LTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5819 S4CJ1N5819Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO411N5818MGS1N5818GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL1N5819onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5819 SS141N5819NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
1N5819Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL1N5819(SS14)TDD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที