ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N4923G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N4923G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N4923G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 30 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 30 @ 500mA, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N4923 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N4923G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N4923G | 2N4998 | 2N4923 | 2N4920 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | onsemi | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500µA | - | 500µA | 500µA |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A | 850mV @ 200µA, 1mA | 600mV @ 100mA, 1A | 600mV @ 100mA, 1A |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 30 W | 35 W | 30 W | 30 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-210AA, TO-59-4, Stud | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | 2 A | 1 A | 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 80 V | 80 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | TO-59 | TO-126 | TO-126 |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | - | 3MHz | 3MHz |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 30 @ 500mA, 1V | - | 30 @ 500mA, 1V | 40 @ 50mA, 1V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N4923 | - | 2N4923 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Through Hole | Through Hole |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | PNP |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N4923G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N4923G - onsemi
2N4998Microchip TechnologyPOWER BJT2N4923onsemiTRANS NPN 80V 1A TO1262N4920Solid State Inc.TRANS PNP 80V 1A TO1262N4927MOT2N4921GonsemiTRANS NPN 40V 1A TO126
2N4922AMI Semiconductor/onsemi
2N4923STMicroelectronicsTRANS NPN 80V 1A SOT-32
2N4957Microsemi CorporationRF TRANS PNP 30V 30MA TO722N4920onsemiTRANS PNP GP 1A 80V TO225AA2N4988Harris CorporationSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR2N4932MOTOROLAIGBT Module2N4919GonsemiTRANS PNP 60V 1A TO1262N4933MOTOROLAIGBT Module2N4922GonsemiTRANS NPN 60V 1A TO126
2N4929Amphenol SSI Technologies2N4920GonsemiTRANS PNP 80V 1A TO1262N4999Microchip TechnologyPOWER BJT2N4923NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 1A TO126| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที