ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N4998
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 2N4998 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 2N4998
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 850mV @ 200µA, 1mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-59 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 35 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 2N4998
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N4998 | 2N4920 | 2N4920 | 2N4922G |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | 500µA | 100µA | 500µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | 1 A | 1 A | 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | - | 40 @ 50mA, 1V | 40 @ 50mA, 1V | 30 @ 500mA, 1V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-59 | TO-126 | TO-126 | TO-126 |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | 3MHz | 3MHz | 3MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 80 V | 60 V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 850mV @ 200µA, 1mA | 600mV @ 100mA, 1A | 600mV @ 100mA, 1A | 600mV @ 100mA, 1A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 35 W | 30 W | 30 W | 30 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C (TJ) | 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | PNP | PNP | NPN |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-210AA, TO-59-4, Stud | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N4998 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 2N4998 - Microchip Technology
2N4920Solid State Inc.TRANS PNP 80V 1A TO126
2N4957Microsemi CorporationRF TRANS PNP 30V 30MA TO722N4927MOT2N4920onsemiTRANS PNP GP 1A 80V TO225AA2N4922GonsemiTRANS NPN 60V 1A TO1262N4988Harris CorporationSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2N4999Microchip TechnologyPOWER BJT2N4932MOTOROLAIGBT Module2N4919GonsemiTRANS PNP 60V 1A TO1262N4920GonsemiTRANS PNP 80V 1A TO1262N4923NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 1A TO126
2N4923STMicroelectronicsTRANS NPN 80V 1A SOT-322N4921GonsemiTRANS NPN 40V 1A TO1262N4923GonsemiTRANS NPN 80V 1A TO1262N4923onsemiTRANS NPN 80V 1A TO126
2N4922AMI Semiconductor/onsemi
2N4929Amphenol SSI Technologies2N4933MOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที