ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAS16DXV6T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BAS16DXV6T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BAS16DXV6T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-563 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 6 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-563, SOT-666 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200mA (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BAS16DXV6T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAS16DXV6T1G | BAS16DXV6T5 | BAS16D-E3-08 | BAS16D |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | CJ |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | 2 Independent | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 6 ns | 6 ns | 6 ns | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | 75 V | 75 V | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 75 V | 1 µA @ 75 V | 1 µA @ 75 V | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-563 | SOT-563 | SOD-123 | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200mA (DC) | 200mA (DC) | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 | BAS16 | BAS16 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOD-123 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BAS16DXV6T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BAS16DXV6T1G - onsemi
BAS16DXV6T5onsemiDIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563BAS16D-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123BAS16DCJ
BAS1602VH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BAS16EDiodes Incorporated
BAS16GWFreescale / NXP SemiconductorsBAS16E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16E6393Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 80V 250MA
BAS16215NexperiaBAS16/A2Freescale / NXP SemiconductorsBAS1603WCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16235NexperiaBAS16HNexperiaBAS1603WE6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16GWJNexperia USA Inc.DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123BAS16H A1Freescale / NXP SemiconductorsBAS16E6327/E6767Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16/SOT-23CJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที