ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAS16E6393
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BAS16E6393 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BAS16E6393
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 250mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BAS16E6393
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAS16E6393 | BAS16GWJ | BAS16D-E3-08 | BAS16DXV6T1G |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Nexperia USA Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 75 V | 500 nA @ 80 V | 1 µA @ 75 V | 1 µA @ 75 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 6 ns | 6 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 | BAS16 | BAS16 | BAS16 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 100 V | 75 V | 75 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 250mA | 215mA | 250mA | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOD-123 | SOD-123 | SOT-563, SOT-666 |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | - | - |
BAS16DXV6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563BAS16H,115Nexperia
BAS16H A1Freescale / NXP SemiconductorsBAS16GWFreescale / NXP SemiconductorsBAS16H.115NexperiaBAS16H+115Freescale / NXP SemiconductorsBAS16HNexperiaBAS16GWJNexperia USA Inc.DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123
BAS16EDiodes Incorporated
BAS16E6327HTSA1InfineonBAS16E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16E6433HTMA1BAS16E6327/E6767Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16DCJBAS16GWXNexperiaBAS16DXV6T5onsemiDIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563BAS16235NexperiaBAS16D-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที