ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAS16GWJ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Nexperia USA Inc. - BAS16GWJ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Nexperia USA Inc. - BAS16GWJ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Nexperia | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 215mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Nexperia USA Inc. BAS16GWJ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAS16GWJ | BAS16HLP-7 | BAS16HT1G | BAS16E6393 |
| ผู้ผลิต | Nexperia USA Inc. | Diodes Incorporated | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | 0402 (1006 Metric) | SC-76, SOD-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 80 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 | BAS16 | BAS16 | BAS16 |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 215mA | 215mA | 200mA | 250mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123 | X1-DFN1006-2 | SOD-323 | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | 500 nA @ 80 V | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 75 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 6 ns | 4 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BAS16GWJ PDF และเอกสาร Nexperia USA Inc. สำหรับ BAS16GWJ - Nexperia USA Inc.
BAS16EDiodes IncorporatedBAS16E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BAS16DXV6T5onsemiDIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563
BAS16GWFreescale / NXP Semiconductors
BAS16HNexperiaBAS16H+115Freescale / NXP SemiconductorsBAS16HLP-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFNBAS16H.115NexperiaBAS16H A1Freescale / NXP SemiconductorsBAS16HT1GFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323BAS16DCJBAS16E6327/E6767Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS16E6393Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 80V 250MABAS16235NexperiaBAS16HLPQ-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
BAS16D-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
BAS16HT1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323BAS16DXV6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที