ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DSK10E-BT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - DSK10E-BT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - DSK10E-BT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | R-1, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DSK10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi DSK10E-BT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DSK10E-BT | DSK115 | LL103A-GS08 | FR157G |
| ผู้ผลิต | onsemi | MDD | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | SOD-123FL | SOD-80 MiniMELF | DO-15 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 150 V | 40 V | 1000 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | Standard |
| ชุด | - | SOD-123FL | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -55°C ~ 125°C | 125°C (Max) | -65°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | R-1, Axial | SOD-123F | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | DO-204AC, DO-15, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 850 mV @ 1 A | 600 mV @ 200 mA | 1.3 V @ 1.5 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 100 µA @ 150 V | 5 µA @ 30 V | 5 µA @ 700 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 200mA | 1.5A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 80pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 0V, 1MHz | 25pF @ 4V, 1MHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DSK10 | - | LL103 | FR15 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DSK10E-BT PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ DSK10E-BT - onsemi
DSK115MDDDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD123FLLL103A-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOT 40V 200MA SOD80
DSK-3R3G703HT414-GRRElna AmericaFR157GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15
DSK5J01Q0LPanasonic Electronic ComponentsJFET N-CH 30MA SMINI3-F2
MA2SD2400LPanasonic Electronic ComponentsDIODE SCHOT 20V 200MA SSMINI2-F1
DSKTJ04T01AZPanasonic
DSK-3R3H204T614-H2LElna AmericaCAP 200MF -20% +80% 3.3V SMDDSK310MDDDIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FL
SBRD8350GonsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
DSK-3R3H703T414-HRLElna AmericaCAP 70MF -20% +80% 3.3V SMDDSK110MDDDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FLDSK210MDDDIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FLDSK14LFORMOSAMSDSK-3R3H703T414-HLLElna AmericaCAP 70MF -20% +80% 3.3V SMDDSK-3R3H224U-HLElna AmericaCAP 220MF -20% +80% 3.3V SMDDSKTJ07U0LPANASONIS
1N4050Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 275A DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที