ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DSK115
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ MDD - DSK115 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ MDD - DSK115
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | MDD | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SOD-123FL |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ MDD DSK115
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DSK115 | MBR6040 | 1N3172 | RGP02-12E-E3/73 |
| ผู้ผลิต | MDD | GeneSiC Semiconductor | Powerex Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Cut Tape (CT) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 40 V | - | 1200 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | SOD-123FL | - | - | SUPERECTIFIER® |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 60A | - | 500mA |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | - | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | DO-5 | - | DO-204AL (DO-41) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 175°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 1 A | 650 mV @ 60 A | - | 1.8 V @ 100 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | DO-203AB, DO-5, Stud | - | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 150 V | 5 mA @ 20 V | - | 5 µA @ 1200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Chassis, Stud Mount | - | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DSK115 PDF และเอกสาร MDD สำหรับ DSK115 - MDD
MBR6040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 60A DO51N3172Powerex Inc.DIODE STUD MNT 240A 800V DO-9DSKTJ07U0LPANASONISRGP02-12E-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 1.2KV 500MA DO204ALDSK210MDDDIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FL
DSK-3R3H703T414-HLLElna AmericaCAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD
DSK-3R3G703HT414-GRRElna AmericaDSK14LFORMOSAMS
DSK-3R3H204T614-H2LElna AmericaCAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD
DSK10E-BTonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIALDSK-3R3H224U-HLElna AmericaCAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD
DSK5J01Q0LPanasonic Electronic ComponentsJFET N-CH 30MA SMINI3-F2DSK310MDDDIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FL
DSKTJ04T01AZPanasonic
1N3172AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIERDSK-3R3H703T414-HRLElna AmericaCAP 70MF -20% +80% 3.3V SMDDSK110MDDDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
BYS10-45HE3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที