ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DSK310
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ MDD - DSK310 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ MDD - DSK310
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | MDD | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SOD-123FL |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 160pF @ 4V, 1MHz |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ MDD DSK310
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DSK310 | MBR130T3G | DSK10E-BT | DSK110 |
| ผู้ผลิต | MDD | onsemi | onsemi | MDD |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | SOD-123FL | - | - | SOD-123FL |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Standard | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 3 A | 450 mV @ 700 mA | 1.1 V @ 1 A | 850 mV @ 1 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) | -55°C ~ 125°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | SOD-123 | R-1, Axial | SOD-123F |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | SOD-123 | - | SOD-123FL |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 1A | 1A | 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 30 V | 400 V | 100 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 160pF @ 4V, 1MHz | - | - | 80pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 100 V | 60 µA @ 30 V | 10 µA @ 400 V | 200 µA @ 100 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DSK310 PDF และเอกสาร MDD สำหรับ DSK310 - MDD
DSK3J02U0LPanasonicMBR130T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123DSK10E-BTonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIALDSK110MDDDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL
DSK-3R3H224U-HLElna AmericaCAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD
DSK5J01Q0LPanasonic Electronic ComponentsJFET N-CH 30MA SMINI3-F2
DSK-3R3G703HT414-GRRElna America
STPSC10H12GY-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAKDSK115MDDDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD123FLDSK14LFORMOSAMS
V8P12-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A
DSK-3R3H703T414-HLLElna AmericaCAP 70MF -20% +80% 3.3V SMDDSKTJ07U0LPANASONISDSK210MDDDIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FLDSK-3R3H703T414-HRLElna AmericaCAP 70MF -20% +80% 3.3V SMDDSK-3R3H204T614-H2LElna AmericaCAP 200MF -20% +80% 3.3V SMDDSKTJ04T01AZPanasonicDSK1010DDSK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที