ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FFH75H60S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FFH75H60S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FFH75H60S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 75 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 75A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FFH75H60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FFH75H60S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FFH75H60S | FFH50US60S | FFH15S60STU | SBR5E45P5-7 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Diodes Incorporated |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Super Barrier |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 280 µA @ 45 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 75A | 50A | 15A | 5A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 124 ns | 35 ns | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FFH75H60 | FFH50US60 | FFH15 | SBR5E45 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 75 A | 1.54 V @ 50 A | 2.6 V @ 15 A | 600 mV @ 5 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-247-2 | PowerDI™ 5 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 45 V |
| ชุด | - | Stealth™ | - | SBR® |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-247-2 | PowerDI™ 5 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FFH75H60S PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FFH75H60S - onsemi
FFH50US60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2FFH15S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2FFH60UP60C3AMI Semiconductor/onsemiSBR5E45P5-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 5A POWERDI5
FFH30S60SFairchild (onsemi)
RF302LAM2STFTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A PMDTMFFH60UP40S3onsemiDIODE GEN PURP 400V 60A TO247-3FFH30US30DNonsemiDIODE ARRAY GP 300V 30A TO247ADFFH30S60STUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 30A, 6FFH50US60SFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2FFH60UP60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2FFH60UP60S3onsemiDIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3FFH60UP40SonsemiDIODE GEN PURP 400V 60A TO247-2FFH60UP40S3Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 60A TO247
ES3F-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 3A DO214ABFFH30S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
MA2J72900LPanasonic Electronic ComponentsDIODE SCHOTT 30V 200MA SMINI2-F1
BAV21W-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที